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1. (WO2014182380) METHOD FOR CREATING A SELECTIVE SOLDER SEAL INTERFACE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT COOLING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/182380    International Application No.:    PCT/US2014/031721
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 25.03.2014
IPC:
H01L 23/373 (2006.01), H01L 23/473 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventors: DAVIS, William, J.; (US).
ALTMAN, David H.; (US)
Agent: MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP 354A Turnpike St., Suite 301A Canton, Massachusetts 02021 (US)
Priority Data:
13/891,490 10.05.2013 US
Title (EN) METHOD FOR CREATING A SELECTIVE SOLDER SEAL INTERFACE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT COOLING SYSTEM
(FR) PROCEDE POUR CREER UNE INTERFACE ETANCHE DE SOUDRE SELECTIVE POUR UN SYSTEME DE REFROIDISSEMENT DE CIRCUIT INTEGRE
Abstract: front page image
(EN)A method for forming cooling channels in an interface for soldering to a semiconductor structure. The method includes: forming a metal seed layer on a surface of a substrate; patterning the metal seed layer into a patterned, plating seed layer covering portions of the substrate and exposing other portions of the substrate; using the patterned plating seed layer to form channels through the exposed portions of the substrate; and plating the patterned plating seed layer with solder. A heat exchanger having cooling channels therein is affixed to one surface of the interface and the semiconductor structure is soldered to an opposite surface of the interface. The cooling channels of the heat exchanger are aligned with the channels in the interface.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour former des canaux de refroidissement dans une interface pour une soudure à une structure de semi-conducteur. Le procédé comprend: la formation d’une couche de graine métallique sur une surface d’un substrat; la modélisation de la couche de graine métallique dans une couche de graine de placage modélisée recouvrant des parties du substrat et présentant d’autres parties du substrat; l’utilisation de la couche de graine de placage modélisée pour former des canaux à travers les parties présentées du substrat; et le placage de la couche de graine de placage modélisée avec une soudure. Un échangeur thermique ayant des canaux de refroidissement dans celui-ci est fixé à une surface de l’interface et la structure de semi-conducteur est soudée à une surface opposée de l’interface. Les canaux de refroidissement de l’échangeur thermique sont alignés sur les canaux dans l’interface.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)