WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014181883) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181883    International Application No.:    PCT/JP2014/062535
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), B23K 35/26 (2006.01), B23K 101/40 (2006.01), C22C 13/02 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: KIDO, Kazumasa; (JP).
SAITOU, Takashi; (JP).
FUKUDA, Kyouhei; (JP).
TADA, Shinji; (JP).
MOMOSE, Fumihiko; (JP).
NISHIMURA, Yoshitaka; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 5F, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2013-100651 10.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A solder joint layer has a structure in which a plurality of fine granular second crystal parts (22) are deposited at a crystal grain boundary between first crystal parts (21) dispersed in a matrix. The first crystal part (21) is a plurality of Sn crystal grains containing tin and antimony in a predetermined ratio. The second crystal part (22) is configured from a first portion containing a predetermined ratio of Ag atoms to Sn atoms and/or a second portion containing a predetermined ratio of Cu atoms to Sn atoms. Further, the solder joint layer may have a third crystal part (23) that is crystal grains containing a predetermined ratio of Sb atoms to Sn atoms. Consequently, the highly reliable solder joint layer that enables low-melting-point solder joint and has a substantially uniform metallic structure can be formed.
(FR)Une couche de raccord par soudure possède une structure dans laquelle une pluralité de secondes parties de cristal à granularité fine (22) sont déposées au niveau d'une limite de grain cristallin entre des premières parties de cristal (21) dispersées dans une matrice. La première partie de cristal (21) est une pluralité de grains cristallins Sn contenant de l'étain et de l'antimoine dans un rapport prédéterminé. La seconde partie de cristal (22) est configurée à partir d'une première partie contenant un rapport prédéterminé d'atomes Ag sur des atomes Sn et/ou une seconde partie contenant un rapport prédéterminé d'atomes Cu sur des atomes Sn. En outre, la couche de raccord par soudure peut avoir une troisième partie de cristal (23) qui est des grains cristallins contenant un rapport prédéterminé d'atomes Sb sur des atomes Sn. Par conséquent, la couche de raccord par soudure très fiable qui permet un raccord par soudure à faible point de fusion et qui possède une structure métallique sensiblement uniforme peut être formée.
(JA) はんだ接合層は、マトリクスに分散した第1結晶部(21)同士の結晶粒界に微細粒状の複数の第2結晶部(22)が析出した構造を有する。第1結晶部(21)は、錫とアンチモンとを所定の割合で含む複数のSn結晶粒である。第2結晶部(22)は、Sn原子に対してAg原子を所定の割合で含む第1部分、または、Sn原子に対してCu原子を所定の割合で含む第2部分、もしくはその両方で構成される。また、はんだ接合層は、Sn原子に対してSb原子を所定の割合で含む結晶粒である第3結晶部(23)を有しても良い。これにより、低融点でのはんだ接合を可能とし、実質的に均一な金属組織を有し、信頼性の高いはんだ接合層を形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)