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1. (WO2014181856) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181856    International Application No.:    PCT/JP2014/062437
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventors: TAKADO, Shinya; (JP).
ITO, Norikazu; (JP).
KASHIWAGI, Junichi; (JP).
ASAMIZU, Hirokuni; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2013-099233 09.05.2013 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体素子
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor element (1) is provided with: a substrate (10); a first buffer layer (12) disposed on the substrate; a second buffer layer (14) disposed on the first buffer layer; a third buffer layer (28) composed of an AlGaN-based nitride semiconductor and disposed on the second buffer layer; a fourth buffer layer (16) composed of a GaN-based nitride semiconductor and disposed on the third buffer layer; a barrier layer (18) composed of an AlGaN-based nitride semiconductor and disposed on the fourth buffer layer; and a source electrode (20), drain electrode (22), and gate electrode (26) disposed between the source electrode and drain electrode that are disposed on the barrier layer. The third buffer layer has been lattice-relaxed. Provided is a nitride semiconductor element that curbs any leakage current and improves breakdown strength.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur au nitrure (1) comprenant: un substrat (10); une première couche tampon (12) disposée sur le substrat; une deuxième couche tampon (14) disposée sur la première couche tampon; une troisième couche tampon (28) comprenant un semi-conducteur au nitrure à base de AlGaN et disposée sur la deuxième couche tampon; une quatrième couche tampon (16) comprenant un semi-conducteur au nitrure à base de GaN et disposée sur la troisième couche tampon; une couche barrière (18) comprenant un semi-conducteur au nitrure à base de AlGaN et disposée sur la quatrième couche tampon; et une électrode source (20), une électrode de drain (22) et une électrode de grille (26) disposée entre l'électrode source et l'électrode de drain qui sont disposées sur la couche barrière. La troisième couche tampon possède un maillage relâché. L'invention concerne un élément semi-conducteur au nitrure qui permet de courber tout courant de fuite et améliore la résistance au claquage.
(JA) 窒化物半導体素子(1)は、基板(10)と、基板上に配置された第1バッファ層(12)と、第1バッファ層上に配置された第2バッファ層(14)と、第2バッファ層上に配置されたAlGaN系窒化物半導体からなる第3バッファ層(28)と、第3バッファ層上に配置されたGaN系窒化物半導体からなる第4バッファ層(16)と、第4バッファ層上に配置されたAlGaN系窒化物半導体からなるバリア層(18)と、バリア層上に配置されたソース電極(20)、ドレイン電極(22)およびソース電極およびドレイン電極の間に配置されたゲート電極(26)とを備え、第3バッファ層は格子緩和されている。リーク電流を抑制し、破壊耐量を向上した窒化物半導体素子を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)