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1. (WO2014181597) ELECTROSTATIC PROTECTION ELEMENT AND LIGHT-EMITTING MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181597    International Application No.:    PCT/JP2014/058720
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 27.03.2014
IPC:
H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/866 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: WATANABE, Kiminori; (JP).
SATO, Seiichi; (JP).
WATANABE, Toshiya; (JP).
OKAWA, Tadayuki; (JP).
ARAKI, Kiyoto; (JP).
YAMAMOTO, Teiji; (JP)
Agent: KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2013-098349 08.05.2013 JP
Title (EN) ELECTROSTATIC PROTECTION ELEMENT AND LIGHT-EMITTING MODULE
(FR) ÉLÉMENT DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE ET MODULE ÉMETTEUR DE LUMIÈRE
(JA) 静電気保護素子および発光モジュール
Abstract: front page image
(EN)This electrostatic protection element (10) is provided with a base (20) consisting of a high-resistivity semiconductor material. On a first primary surface of the base (20), external connection lands (22, 23) are formed separated by an interval in the first direction. On the first primary surface of the base (20), a diode (30) is formed by a semiconductor process. The diode (30) is formed between the formation regions of the external connection lands (22, 23) along the first direction. A high-concentration region (40) has the same polarity as the base (20) and contains more impurities than the base (20). The high-concentration region (40) has an annular shape when viewing the base (20) from above, and is formed in a shape surrounding the diode (30).
(FR)L’élément de protection électrostatique (10) de l’invention est équipé d’une base (20) consistant en un matériau semi-conducteur de résistivité élevée. Sur une première surface principale de la base (20), des sites de connexion externes (22, 23) sont formés, séparés par un intervalle dans la première direction. Sur la première surface principale de la base (20), une diode (30) est formée par un procédé à semi-conducteurs. La diode (30) est formée entre les régions de formation des sites de connexion externes (22, 23), le long de la première direction. Une région de concentration élevée (40) a la même polarité que la base (20) et contient davantage d’impuretés que la base (20). La région de concentration élevée (40) a une forme annulaire quand on regarde la base (20) depuis le dessus, et présente une forme qui entoure la diode (30).
(JA)静電気保護素子(10)は、高抵抗の半導体材料からなる基体(20)を備える。基体(20)の第1主面には、第1方向に沿って間隔を空けて、外部接続用ランド(22,23)が形成されている。基体(20)の第1主面には、半導体プロセスにより、ダイオード部(30)が形成されている。ダイオード部(30)は、第1方向に沿った、外部接続用ランド(22,23)の形成領域の間に形成されている。高濃度領域(40)は、基体(20)と同じ極性で、基体(20)よりも不純物を多く含む領域である。高濃度領域(40)は、基体(20)を平面視して環状であり、ダイオード部(30)を囲む形状で形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)