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1. (WO2014181577) SUPERIMPOSITION MEASUREMENT DEVICE, SUPERIMPOSITION MEASUREMENT METHOD, AND SUPERIMPOSITION MEASUREMENT SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181577    International Application No.:    PCT/JP2014/056093
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 10.03.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventors: YAMAMOTO Takuma; (JP).
GOTO Yasunori; (JP).
FUKUNAGA Fumihiko; (JP)
Agent: INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Priority Data:
2013-098960 09.05.2013 JP
Title (EN) SUPERIMPOSITION MEASUREMENT DEVICE, SUPERIMPOSITION MEASUREMENT METHOD, AND SUPERIMPOSITION MEASUREMENT SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE SURIMPRESSION, PROCÉDÉ DE MESURE DE SURIMPRESSION ET SYSTÈME DE MESURE DE SURIMPRESSION
(JA) 重ね合わせ計測装置、重ね合わせ計測方法、及び重ね合わせ計測システム
Abstract: front page image
(EN)In cases of measuring a superimposition error between an upper-layer pattern and a lower-layer pattern by using a scanning electron microscope, often the S/N of the lower-layer pattern is low, and addition processing needs to be performed a multitude of times in cases of simple frame-addition processing. Further, in an image obtained by simple addition, there is a possibility that the contrast is not optimal for both the upper-layer and lower-layer patterns. In the disclosed superimposition measurement device and superimposition measurement method for measuring the difference between the position of an upper-layer pattern and the position of a lower-layer pattern by using an image obtained by the irradiation of a charged particle beam, portions of images having contrasts optimized for the respective upper-layer and lower-layer patterns are added, and thereby, a first addition image optimized for the upper-layer pattern and a second addition image optimized for the lower-layer pattern are created, and the difference between the position of the upper-layer pattern specified by using the first addition image and the position of the lower-layer pattern specified by using the second addition image is found.
(FR)L'invention concerne la mesure d'une erreur de surimpression entre un motif de couche supérieure et un motif de couche inférieure en utilisant un microscope électronique à balayage. Dans l'art antérieur, le rapport signal/bruit du motif de couche inférieure est souvent bas et un traitement additionnel doit être effectué de multiples fois dans les cas d'un simple traitement d'ajout d'une trame. De plus, dans une image obtenue par une simple addition, il existe une possibilité pour que le contraste ne soit pas optimal pour à la fois les motifs de couche supérieure et de couche inférieure. L'invention réalise ainsi un dispositif de mesure de surimpression et un procédé de mesure de surimpression pour mesurer la différence entre la position d'un motif de couche supérieure et la position d'un motif de couche inférieure en utilisant une image obtenue par l'irradiation d'un faisceau de particules chargées, des portions d'images dont les contrastes sont optimisés pour les motifs respectifs de couche supérieure et de couche inférieure sont ajoutées, créant ainsi une première image additionnelle optimisée pour le motif de couche supérieure et une deuxième image additionnelle optimisée pour le motif de couche inférieure, et la différence entre la position du motif de couche supérieure spécifiée en utilisant la première image additionnelle et la position du motif de couche inférieure spécifiée en utilisant la deuxième image additionnelle est obtenue.
(JA) 走査型電子顕微鏡を用いて、上層と下層のパターン間の重ね合わせ誤差を測定しようとする場合、下層パターンのSNが低いケースが多く、単純なフレーム加算処理では多数回の加算処理が必要となる。さらにこのように単純加算した画像は上層と下層のそれぞれのパターンに対して最適なコントラストになっていない可能性がある。 荷電粒子線の照射により取得された画像を用いて上層のパターンの位置と下層のパターンの位置との差を計測する重ね合わせ計測装置および重ね合わせ計測方法において、上層のパターンと下層のパターンのそれぞれに最適化したコントラストの画像の一部分を加算することで、上層のパターンに最適された第一の加算画像と下層のパターンに最適化された第二の加算画像を生成し、第一の加算画像を用いて特定した上層のパターンの位置と第二の加算画像を用いて特定した下層のパターンの位置との差を求める。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)