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1. (WO2014181558) LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181558    International Application No.:    PCT/JP2014/052670
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 05.02.2014
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP)
Inventors: SUGIYAMA, Masakazu; (JP).
MATHEW, Manish; (JP).
NAKANO, Yoshiaki; (JP).
SODABANLU, Hassanet; (JP)
Agent: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; Gotanda Daiichiseimei Bldg., 19-3, Nishigotanda 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Priority Data:
2013-099378 09.05.2013 JP
Title (EN) LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
(JA) 発光ダイオード素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An n-type GaN layer (24) comprising n-type gallium nitride (GaN) is formed on a sapphire substrate (22), and a plurality of island-shaped layered structures (28), which are formed by a plurality of layers of AlN base layers (30) comprising aluminum nitride (AlN), AlN layers (34), and InGaN layers (32) comprising indium gallium nitride (InGaN) and which have randomly distributed sizes, are provided between the n-type GaN layer (24) and a p-type GaN layer (26) comprising p-type GaN. Because light of mutually differing wavelengths is produced by the layered structures (28), light can be produced over a wider range of wavelengths.
(FR)Une couche GaN de type n (24), comprenant du nitrure de gallium de type n (GaN), est formée sur un substrat de saphir (22), et une pluralité de structures en couches en forme d'îles (28), qui sont formées par une pluralité de couches comprenant des couches de base AlN (30) composées de nitrure d'aluminium (AlN), des couches AlN (34), et de couches InGaN (32) composées de nitrure d'indium gallium (InGaN) et qui ont des tailles distribuées de manière aléatoire, sont disposées entre la couche GaN de type n (24) et une couche GaN de type p (26) composée de GaN de type p. Du fait que de la lumière de longueurs d'onde mutuellement différentes est produite par les structures en couches (28), la lumière peut être produite sur une plage de longueurs d'onde plus étendue.
(JA)サファイア基板22上にn型の窒化ガリウム(GaN)からなるn型GaN層24を形成し、n型GaN層24とp型のGaNからなるp型GaN層26との間に、窒化アルミニウム(AlN)からなるAlNベース層30と、AlN層34とインジウム窒化ガリウム(InGaN)からなるInGaN層32とが複数積層されてなりサイズが互いにランダムにばらついた複数の島状の積層構造体28とを設けた。各積層構造体28がそれぞれ異なる波長の光を発するから、より広い波長領域の光を発することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)