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1. (WO2014181492) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/181492    International Application No.:    PCT/JP2013/084461
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 24.12.2013
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventors: SAKAMOTO, Toshitsugu; (JP).
TADA, Munehiro; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Teruo; 11F, Toranomon-Twin-Building West, 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2013-099152 09.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention applies to a semiconductor device having a plurality of cells arranged in a two-dimensional array. In the present invention, each cell (10) is provided with one or more transistors (101, 111), one or more resistance-variable elements (100), and one heating device (250). The resistance value of the resistance-variable elements can be electrically set by applying a voltage or current thereto, the heating device in each cell is connected to one of the transistors (111), and the heating device and the resistance-variable elements in each cell are not electrically connected.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs ayant une pluralité de cellules disposées dans un réseau bidimensionnel. Selon la présente invention, chaque cellule (10) comporte un ou plusieurs transistors (101,111), un ou plusieurs éléments à résistance variable (100), et un dispositif de chauffage (250). La valeur de résistance des éléments à résistance variable peut être réglée électriquement par application d'une tension ou d'un courant à ceux-ci, le dispositif de chauffage dans chaque cellule est connecté à l'un des transistors (111), et le dispositif chauffant et les éléments à résistance variable dans chaque cellule ne sont pas connectés électriquement.
(JA) 本発明は,2次元アレイ上に配列された複数のセルを有する半導体装置に適用される。本発明において,各セル(10)は,1つ以上のトランジスタ(101,111),1つ以上の抵抗変化素子(100),および1つの加熱装置(250)を備え,抵抗変化素子は,その抵抗値が電圧印加または電流印加により電気的に設定可能であり,各セル内で加熱装置がトランジスタの1つ(111)に接続され,各セル内で加熱装置と抵抗変化素子とは電気的に接続されていない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)