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1. (WO2014180310) PREPARATION METHOD FOR CRYSTALLINE SILICON THIN FILM BASED ON LAYER TRANSFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/180310    International Application No.:    PCT/CN2014/076930
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 07.05.2014
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SHANGHAI ADVANCED RESEARCH INSTITUTE, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.99 Haike Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Pudong New Area Shanghai 201210 (CN)
Inventors: LIU, Dongfang; (CN).
ZHANG, Wei; (CN).
CHEN, Xiaoyuan; (CN).
YANG, Hui; (CN).
WANG, Cong; (CN).
LU, Linfeng; (CN)
Agent: J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei,Room 5022, No.335,GUO Ding Road, YANG Pu district Shanghai 200433 (CN)
Priority Data:
201310167373.3 08.05.2013 CN
Title (EN) PREPARATION METHOD FOR CRYSTALLINE SILICON THIN FILM BASED ON LAYER TRANSFER
(FR) PROCEDE DE PREPARATION POUR UN FILM MINCE DE SILICIUM CRISTALLIN BASE SUR UN TRANSFERT DE COUCHE
(ZH) 一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法
Abstract: front page image
(EN)A preparation method for a crystalline silicon thin film based on layer transfer, comprising: 1) forming a mask used for manufacturing a periodic rod array on the surface of a monocrystalline silicon substrate (101), and forming a periodic silicon rod array (103) on the monocrystalline silicon substrate by using a chemical wet etching or dry etching process; 2) forming a barrier layer (104) on the surface of the monocrystalline silicon substrate and the surface of the silicon rod array; 3) exposing the silicon at the top of the silicon rod array by using a selective etching process, and forming a silicon nuclear array; 4) by taking the silicon nuclear array as an epitaxially grown crystallon or a nucleation position, forming a continuous silicon film (106) at the top of the silicon rod array by using a chemical vapour deposition method; and 5) stripping the silicon film, and transferring same to a preset base. By taking a monocrystalline silicon piece as a mother substrate, the grown silicon film can inherit the crystalline quality of the mother substrate, so that the high crystalline quality of the silicon film is guaranteed; and after the silicon film is stripped, the substrate can be repeatedly used after simple processing, and at the same time, the growth process of the vapour chemical deposition silicon film is simple, thereby being able to effectively reduce production costs of the silicon film.
(FR)L'invention porte sur un procédé de préparation pour un film mince de silicium cristallin basé sur un transfert de couche, comprenant : 1) la formation d'un masque utilisé pour fabriquer un réseau de tiges périodique sur la surface d'un substrat de silicium monocristallin (101), et la formation d'un réseau de tiges de silicium périodique (103) sur le substrat de silicium monocristallin par utilisation d'un processus de gravure humide chimique ou de gravure sèche; 2) la formation d'une couche de barrière (104) sur la surface du substrat de silicium monocristallin et la surface du réseau de tiges de silicium; 3) la présentation du silicium au niveau du sommet du réseau de tiges de silicium par utilisation d'un processus de gravure sélectif, et la formation d'un réseau nucléaire de silicium; 4) par prise du réseau nucléaire de silicium en tant que cristal à croissance épitaxiale ou emplacement de nucléation, la formation d'un film de silicium continu (106) au niveau du sommet du réseau de tiges de silicium par utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur; et 5) le démoulage du film de silicium, et le transfert de celui-ci vers une base préréglée. Par prise d'un élément de silicium monocristallin en tant que substrat mère, le film de silicium développé peut hériter de la qualité cristalline du substrat mère, de telle sorte que la qualité cristalline élevée du film de silicium est garantie; et après que le film de silicium est démoulé, le substrat peut être utilisé de manière répétée après un traitement simple, et dans le même temps, le processus de croissance du film de silicium de dépôt chimique en phase vapeur est simple, étant ainsi apte à réduire efficacement les coûts de production du film de silicium.
(ZH)一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法,包括:1)于单晶硅衬底(101)表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜,采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列(103);2)于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层(104);3)采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅,形成硅核阵列;4)以硅核阵列作为外延生长的籽晶或成核位置,采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜(106);5)剥离硅膜,将其转移至一预设基底。以单晶硅片为母衬底,所生长硅膜能够继承母衬底的晶体质量,藉此保证硅膜的高晶体质量;硅膜剥离后,衬底经过简单处理后可以重复使用,同时气相化学沉积硅膜生长工艺简单,从而可有效地降低硅膜生产成本。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)