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1. (WO2014179808) RESURF III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179808    International Application No.:    PCT/US2014/036838
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 05.05.2014
IPC:
H01L 29/778 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventors: TIPIRNENI, Naveen; (US).
PENDHARKAR, Sameer; (US).
JOH, Jungwoo; (US)
Agent: FRANZ, Warren L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
13/886,688 03.05.2013 US
Title (EN) RESURF III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE ÉLEVÉE RECTIFIÉ III-N
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (100) containing a GaN FET (124) has n-type doping in at least one III-N semiconductor layer of a low-defect layer (110) and an electrical isolation layer (108) below a barrier layer (112). A sheet charge carrier density of the n-type doping is 1 percent to 200 percent of a sheet charge carrier density of the two-dimensional electron gas.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (100) contenant un transistor à effet de champ au GaN (124), et ayant un dopage de type n dans au moins une couche à semi-conducteurs III-N d'une couche à faible défaut (110) et d'une couche d'isolation électrique (108) en dessous d'une couche barrière (112). La densité de porteur de charge en feuille du dopage de type n représente 1 % à 200 % de la densité de porteur de charge en feuille du gaz électronique bidimensionnel.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)