WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014179721) MONOLITHIC CMOS-MEMS MICROPHONES AND METHOD OF MANUFACTURING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179721    International Application No.:    PCT/US2014/036626
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: ZINN, John; (US).
DIAMOND, Brett; (US).
HOFFMANN, Jochen; (DE)
Agent: PAPROCKI, Andrew J.; Michael Best & Friedrich LLP 100 East Wisconsin Avenue Suite 3300 Milwaukee, Wisconsin 53202 (US)
Priority Data:
61/818,641 02.05.2013 US
61/830,492 03.06.2013 US
Title (EN) MONOLITHIC CMOS-MEMS MICROPHONES AND METHOD OF MANUFACTURING
(FR) MICROPHONES CMOS-MEMS MONOLITHIQUES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods are disclosed for manufacturing a CMOS-MEMS device (100). A partial protective layer (401) is deposited on a top surface of a layered structure to cover a circuit region. A first partial etch is performed from the bottom side of the layered structure to form a first gap (501) below a MEMS membrane (207) within a MEMS region of the layered structure. A second partial etch is performed from the top side of the layered structure to remove a portion of a sacrificial layer between the MEMS membrane and a MEMS backplate (215) within the MEMS region. The second partial etch releases the MEMS membrane so that it can move in response to pressures. The deposited partial protective layer prevents the second partial etch from etching a portion of the sacrificial layer positioned within the circuit region of the layered structure and also prevents the second partial etch from damaging the CMOS circuit component (211).
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés permettant la fabrication d'un dispositif CMOS-MEMS (100). Une couche de protection partielle (401) est déposée sur la surface supérieure d'une structure stratifiée pour recouvrir une région de circuit. Une première attaque chimique est effectuée à partir du côté inférieur de la structure stratifiée afin de former un premier espace (501) en-dessous d'une membrane MEMS (207) dans une région MEMS de la structure stratifiée. Une seconde attaque chimique partielle est effectuée à partir du côté supérieur de la structure stratifiée pour enlever une partie d'une couche sacrificielle située entre la membrane MEMS et une plaque-support MEMS (215) dans la région MEMS. La seconde attaque chimique partielle libère la membrane MEMS de sorte qu'elle puisse bouger en réponse à des pressions. La couche de protection partielle déposée permet d'empêcher que la seconde attaque chimique partielle n'attaque une partie de la couche sacrificielle située dans la région de circuit de la structure stratifiée et permet également d'empêcher que la seconde attaque chimique partielle n'endommage le composant de circuit CMOS (211).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)