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1. (WO2014179694) OPTICALLY TUNED HARDMASK FOR MULTI-PATTERNING APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179694    International Application No.:    PCT/US2014/036586
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BENCHER, Christopher Dennis; (US).
DIEHL, Daniel Lee; (JP).
DAI, Huixiong; (US).
CAO, Yong; (US).
XU, Tingjun; (US).
ZENG, Weimin (Wilson); (US).
XIE, Peng; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, Texas 77046 (US)
Priority Data:
61/819,334 03.05.2013 US
Title (EN) OPTICALLY TUNED HARDMASK FOR MULTI-PATTERNING APPLICATIONS
(FR) MASQUE DUR OPTIQUEMENT MIS AU POINT POUR APPLICATIONS DE FORMATION DE MOTIFS MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)The embodiments herein provides methods for forming a PVD silicon oxide or silicon rich oxide, or PVD SiN or silicon rich SiN, or SiC or silicon rich SiC, or combination of the preceding including a variation which includes controlled doping of hydrogen into the compounds heretofore referred to as SiOxNyCz:Hw, where w, x, y, and z can vary in concentration from 0% to 100%, is produced as a hardmask with optical properties that are substantially matched to the photo-resists at the exposure wavelength. Thus making the hardmask optically planarized with respect to the photo-resist. This allows for multiple sequences of litho and etches in the hardmask while the photo-resist maintains essentially no optical topography or reflectivity variations.
(FR)Les modes de réalisation de la présente invention portent sur des procédés de formation d'un oxyde de silicium ou d'un oxyde riche en silicium par PVD, ou de SiN ou de SiN riche en silicium par PVD, ou de SiC ou de SiC riche en silicium, ou d'une combinaison de ce qui précède, comprenant une variante qui comprend le dopage régulé d'hydrogène dans les composés jusqu'à présent appelés SiOxNyCz:Hw, w, x, y et z pouvant varier en concentration de 0 % à 100 %, qui est produit sous forme d'un masque dur pourvu de propriétés optiques qui sont sensiblement accordées à celles des résines photosensibles à la longueur d'onde d'exposition. Ainsi, ceci permet de rendre le masque dur optiquement planarisé par rapport à la résine photosensible. Ceci permet de multiples séquences de lithogravure et de gravures dans le masque dur alors que la résine photosensible reste essentiellement sans variations de topographie optique ni de réflectivité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)