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1. (WO2014179687) EXTRACTION ELECTRODE ASSEMBLY VOLTAGE MODULATION IN AN ION IMPLANTATION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179687    International Application No.:    PCT/US2014/036578
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Attn: Denis A. Robitaille 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915 (US)
Inventors: COLVIN, Neil; (US).
ZHANG, Jincheng; (US)
Priority Data:
13/886,963 03.05.2013 US
Title (EN) EXTRACTION ELECTRODE ASSEMBLY VOLTAGE MODULATION IN AN ION IMPLANTATION SYSTEM
(FR) MODULATION DE TENSION D'UN ENSEMBLE D'ÉLECTRODES D'EXTRACTION DANS UN SYSTÈME D'IMPLANTATION IONIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method is disclosed for reducing particle contamination in an ion implantation system, wherein an ion beam is created via the ion source operating in conjunction with an extraction electrode assembly. A cathode voltage is applied to the ion source for generating ions therein, and a suppression voltage is applied to the extraction assembly for preventing electrons in the ion beam from being drawn into the ion source. The suppression voltage is selectively modulated, thereby inducing a current flow or an arc discharge through the extraction assembly to remove deposits on surfaces thereof to mitigate subsequent contamination of workpieces. An improvement to an ion implantation system is also disclosed in accordance with the foregoing, wherein a controller is configured to selectively modulate a voltage between a predetermined voltage and a predetermined suppression voltage generally concurrent with the transferring of the workpiece, thereby inducing a current flow or an arc discharge through the extraction electrode assembly to remove deposits on surfaces thereof to mitigate subsequent contamination of workpieces.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à la réduction de la contamination particulaire dans un système d'implantation ionique, un faisceau d'ions étant créé au moyen de l'opération d'une source d'ions conjointement avec un ensemble d'électrodes d'extraction. Une tension de cathode est appliquée à la source d'ions destinée à la génération des ions dans celle-ci et une tension de suppression est appliquée à l'ensemble d'extraction pour empêcher les électrons dans le faisceau d'ions d'être attirés dans la source d'ions. La tension de suppression est modulée de façon sélective, ce qui permet d'induire un débit de courant ou une décharge d'arc à travers l'ensemble d'extraction pour retirer les dépôts sur les surfaces de celui-ci, afin d'atténuer la contamination ultérieure des pièces. L'invention concerne également un perfectionnement d'un système d'implantation ionique conformément à ce qui précède, un dispositif de commande étant configuré pour moduler de façon sélective une tension entre une tension prédéfinie et une tension de suppression prédéfinie généralement en même temps que le transfert de la pièce, ce qui permet d'induire un débit de courant ou une décharge d'arc à travers l'ensemble d'électrodes d'extraction pour retirer des dépôts sur les surfaces de celui-ci, afin d'atténuer la contamination ultérieure des pièces.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)