WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014179686) COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR POWER AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179686    International Application No.:    PCT/US2014/036577
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H03F 3/16 (2006.01), H03F 3/193 (2006.01), H04B 1/40 (2006.01)
Applicants: RFAXIS, INC. [US/US]; 7595 Irvine Center Drive, Suite 200 Irvine, California 92618 (US)
Inventors: BALTEANU, Florinel; (US)
Agent: STETINA BRUNDA GARRED & BRUCKER; Benjamin N. Diederich 75 Enterprise, Suite 250 Aliso Viejo, California 92656 (US)
Priority Data:
61/819,465 03.05.2013 US
14/267,126 01.05.2014 US
Title (EN) COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE
Abstract: front page image
(EN)An RF power amplifier circuit is disclosed. A driver amplifier stage includes a first set of a plurality of amplifier transistors in a cascode configuration, a driver amplifier stage input, and a driver amplifier stage output. A final amplifier stage includes a second set of a plurality of amplifier transistors in a cascode configuration, a final amplifier stage input connected to the driver amplifier stage output, a final amplifier stage output, and a power supply input. An envelope signal amplifier has an input connectible to an envelope signal source, and an output capacitively coupled to the power supply input. A power converter input is connected to the power supply input to provide supplemental power to the final amplifier stage based on an envelope signal from the envelope signal source that corresponds to an input RF signal.
(FR)L'invention porte sur un circuit amplificateur de puissance RF. Un étage amplificateur d'attaque comprend un premier ensemble d'une pluralité de transistors d'amplification en configuration cascode, une entrée d'étage amplificateur d'attaque et une sortie d'étage amplificateur d'attaque. Un étage amplificateur final comprend un second ensemble d'une pluralité de transistors d'amplification en configuration cascode, une entrée d'étage amplificateur final connecté à la sortie d'étage amplificateur d'attaque, une sortie d'étage amplificateur final et une entrée d'alimentation électrique. Un amplificateur de signal d'enveloppe possède une entrée pouvant être connectée à une source de signal d'enveloppe et une sortie couplée de façon capacitive à l'entrée d'alimentation électrique. Une entrée de convertisseur de puissance est connectée à l'entrée d'alimentation électrique pour fournir de la puissance supplémentaire à l'étage amplificateur final sur la base d'un signal d'enveloppe provenant de la source de signal d'enveloppe qui correspond à un signal RF d'entrée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)