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1. (WO2014179651) COMPACT ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179651    International Application No.:    PCT/US2014/036499
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 (US)
Inventors: CHOW, Pei-ming, Daniel; (US).
KOK, Yon-lin; (US).
ZHU, Jing; (US).
SCHELL, Steven; (US)
Agent: SLAYDEN, Bruce, W., II; Slayden Grubert Beard PLLC 823 Congress Ave., Suite 525 Austin, TX 78701 (US)
Priority Data:
61/819,252 03.05.2013 US
14/267,185 01.05.2014 US
Title (EN) COMPACT ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPACTE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES (ESD)
Abstract: front page image
(EN)A multi-gate Schottky depletion-mode field effect transistor (FET), at least one diode and two resistors comprise a compact electrostatic discharge (ESD) protection structure. This ESD protection structure can be laid out in a smaller area than typical multiple diode ESD devices. The multi-gate FET may comprise various types of high-electron-mobility transistor (HEMT) devices, e.g., (pseudomorphic) pHEMT, (metamorphic) mHEMT, induced HEMT. The multiple gates of the Schottky field effect device are used to form an ESD trigger and charge draining paths for protection of circuits following the ESD protection device. Both single and dual polarity ESD protection devices may be provided on an integrated circuit die for protection of input-output circuits thereof.
(FR)Selon l'invention, un transistor à effet de champ (FET) à mode d'appauvrissement Schottky à plusieurs grilles, au moins une diode et deux résistances constituent une structure compacte de protection contre les décharges électrostatiques (ESD). Cette structure de protection ESD peut être disposée dans une plus petite zone que des dispositifs ESD à multiples diodes typiques. Le FET à plusieurs grilles peut comporter divers types de dispositifs à transistor à haute mobilité électronique (HEMT), par exemple pHEMT (pseudomorphique), mHEMT (métamorphique), HEMT induit. Les multiples grilles du dispositif à effet de champ Schottky sont utilisées pour former une déclencheur ESD et charger des chemins de drainage pour la protection de circuits suivant le dispositif de protection ESD. Des dispositifs de protection ESD aussi bien à une seule polarité qu'à deux polarités peuvent être placés sur une puce de circuit intégré pour protéger des circuits d'entrée-sortie de cette puce.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)