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1. (WO2014179087) COBALT REMOVAL FOR CHAMBER CLEAN OR PRE-CLEAN PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179087    International Application No.:    PCT/US2014/034541
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 17.04.2014
IPC:
H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: WU, Kai; (US).
ZHENG, Bo; (US).
YU, Sang Ho; (US).
GELATOS, Avgerinos V.; (US).
ZOPE, Bhushan N.; (US).
ANTHIS, Jeffrey; (US).
SCHMIEGE, Benjamin; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 24 Greenway Plaza Suite 1600 Houston, Texas 77046 (US)
Priority Data:
61/818,286 01.05.2013 US
Title (EN) COBALT REMOVAL FOR CHAMBER CLEAN OR PRE-CLEAN PROCESS
(FR) ÉLIMINATION DE COBALT POUR PROCÉDÉ DE NETTOYAGE OU PRÉ-NETTOYAGE DE CHAMBRE
Abstract: front page image
(EN)Implementations described herein generally relate to methods and apparatus for in-situ removal of unwanted deposition buildup from one or more interior surfaces of a semiconductor substrate processing chamber. In one implementation, a method for removing cobalt or cobalt containing deposits from one or more interior surfaces of a substrate processing chamber after processing a substrate disposed in the substrate processing chamber is provided. The method comprises forming a reactive species from the fluorine containing cleaning gas mixture, permitting the reactive species to react with the cobalt and/or the cobalt containing deposits to form cobalt fluoride in a gaseous state and purging the cobalt fluoride in gaseous state out of the substrate processing chamber.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention portent d'une façon générale sur des procédés et un appareil pour l'élimination in situ d'accumulation de dépôts non voulus d'une ou plusieurs surfaces intérieures d'une chambre de traitement de substrats semi-conducteurs. Un mode de réalisation porte sur un procédé pour l'élimination de cobalt ou de dépôts contenant du cobalt d'une ou plusieurs surfaces intérieures d'une chambre de traitement de substrat après traitement d'un substrat disposé dans la chambre de traitement de substrat. Le procédé comprend la formation d'une espèce réactive à partir du mélange de gaz de nettoyage contenant du fluor, l'opération consistant à laisser l'espèce réactive réagir avec le cobalt et/ou les dépôts contenant du cobalt pour former du fluorure de cobalt à l'état gazeux et la purge du fluorure de cobalt à l'état gazeux hors de la chambre de traitement de substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)