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1. (WO2014179078) SELF-CLEANING RADIO FREQUENCY PLASMA SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179078    International Application No.:    PCT/US2014/034370
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 16.04.2014
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/263 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventors: BASSOM, Neil J.; (US)
Agent: DAISAK, Daniel N.; Kacvinsky Daisak Bluni PLLC 3120 Princeton Pike Suite 303 Lawrenceville, New Jersey 08648 (US)
Priority Data:
61/817,200 29.04.2013 US
13/958,809 05.08.2013 US
Title (EN) SELF-CLEANING RADIO FREQUENCY PLASMA SOURCE
(FR) SOURCE DE PLASMA RADIOFRÉQUENCE AUTO-NETTOYANTE
Abstract: front page image
(EN)A self-cleaning radio frequency (RF) plasma source for a semiconductor manufacturing process is described. Various examples provide an RF plasma source comprising an RF antenna and a rotatable dielectric sleeve disposed around the RF antenna. The dielectric is positioned between a process chamber and cleaning chamber such that portions of the surface of the dielectric may be exposed to either the process chamber or the cleaning chamber. As material is deposited on the outer surface of the dielectric in the process chamber, the dielectric sleeve is rotated so that the portion containing the buildup is exposed to the cleaning chamber. A sputtering process in the cleaning chamber removes the buildup from the surface of the sleeve. The dielectric sleeve is then rotated so that it exposed to the process chamber. Other embodiments are disclosed and claimed.
(FR)La présente invention concerne une source de plasma radiofréquence (RF) auto-nettoyante pour un procédé de fabrication de semi-conducteur. Différents exemples proposent une source de plasma RF comprenant une antenne RF et un manchon diélectrique rotatif disposé autour de l'antenne RF. Le diélectrique est positionné entre une chambre de traitement et une chambre de nettoyage de telle sorte que des parties de la surface du diélectrique puissent être exposées soit à la chambre de traitement soit à la chambre de nettoyage. Lorsqu'un matériau est déposé sur la surface extérieure du diélectrique dans la chambre de traitement, le manchon diélectrique est tourné de telle sorte que la partie contenant l'accumulation soit exposée à la chambre de nettoyage. Un procédé de pulvérisation dans la chambre de nettoyage retire l'accumulation de la surface du manchon. Le manchon diélectrique est ensuite tourné de telle sorte qu'il soit exposé à la chambre de traitement. D'autres modes de réalisation sont décrits et revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)