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1. (WO2014179072) LOW TEMPERATURE FLOWABLE CURING FOR STRESS ACCOMMODATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/179072    International Application No.:    PCT/US2014/034309
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 16.04.2014
IPC:
H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LIANG, Jingmei; (US).
INGLE, Nitin K.; (US).
HONG, Sukwon; (US).
DUBE, Abhishek; (US).
LI, DongQing; (US)
Agent: BERNARD, Eugene J.; Two Embarcadero Center Eighth Floor San Francisco, California 94111 (US)
Priority Data:
61/818,707 02.05.2013 US
13/955,640 31.07.2013 US
Title (EN) LOW TEMPERATURE FLOWABLE CURING FOR STRESS ACCOMMODATION
(FR) CUISSON LIQUÉFIABLE À BASSE TEMPÉRATURE POUR ADAPTATION DE CONTRAINTE
Abstract: front page image
(EN)Methods of forming gapfill silicon-containing layers are described. The methods may include providing or forming a silicon-and-hydrogen-containing layer on a patterned substrate. The methods include non-thermally treating the silicon-and-hydrogen-containing layer at low substrate temperature to increase the concentration of Si-Si bonds while the silicon-and-hydrogen-containing layer remains soft. The flaccid layer is able to adjust to the departure of hydrogen from the film and retain a high density without developing a stress. Film qualify is further improved by then inserting O between Si-Si bonds to expand the film in the trenches thereby converting the silicon-and-hydrogen-containing layer to a silicon-and-oxygen-containing layer.
(FR)La présente invention concerne des procédés de formation de couches contenant du silicium pour regarnissage de vide. Les procédés peuvent comprendre la mise en place ou la formation d'une couche contenant du silicium et de l'hydrogène sur un substrat à motifs. Les procédés comprennent le traitement non thermique de la couche contenant du silicium et de l'hydrogène à basse température de substrat afin d'augmenter la concentration en liaisons Si-Si pendant que la couche contenant du silicium et de l'hydrogène reste molle. La couche flasque est capable d'ajuster le départ d'hydrogène depuis le film et de retenir une densité élevée sans développer de contrainte. La qualification du film est en outre améliorée en insérant ensuite de l'O entre les liaisons Si-Si afin de dilater le film dans les tranchées, convertissant de ce fait la couche contenant du silicium et de l'hydrogène en une couche contenant du silicium et de l'oxygène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)