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1. (WO2014178988) CONTROL-ELECTRODE SHIELDING FOR IMPROVED LINEARITY OF A MEMS DVC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/178988    International Application No.:    PCT/US2014/032725
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 02.04.2014
Chapter 2 Demand Filed:    10.10.2014    
IPC:
H01G 5/16 (2006.01), H01G 5/18 (2006.01)
Applicants: CAVENDISH KINETICS, INC [US/US]; 3833 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventors: VAN KAMPEN, Robertus Petrus; (NL).
ALHALABI, Ramadan A.; (US)
Agent: VERSTEEG, Steven H.; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Priority Data:
61/817,251 29.04.2013 US
61/817,385 30.04.2013 US
Title (EN) CONTROL-ELECTRODE SHIELDING FOR IMPROVED LINEARITY OF A MEMS DVC DEVICE
(FR) PROTECTION D'ÉLECTRODE DE COMMANDE À LINÉARITÉ AMÉLIORÉE D'UN DISPOSITIF DVC DE MEMS
Abstract: front page image
(EN)The present invention generally relates to a MEMS DVC having a shielding electrode structure between the RF electrode and one or more other electrodes that cause a plate to move. The shielding electrode structure may be grounded and, in essence, block or shield the RF electrode from the one or more electrodes that cause the plate to move. By shielding the RF electrode, coupling of the RF electrode to the one or more electrodes that cause the plate to move is reduced and capacitance modulation is reduced or even eliminated.
(FR)La présente invention concerne globalement un DVC de MEMS comportant une structure d'électrode de protection entre l'électrode RF et une ou plusieurs autres électrodes provoquant un déplacement de plaque. La structure d'électrode de protection peut être mise à la masse et, par nature, peut bloquer ou protéger l'électrode RF par rapport à l'électrode ou aux électrodes provoquant un déplacement de plaque. La protection de l'électrode RF réduit le couplage de l'électrode RF avec la ou les électrodes provoquant un déplacement de plaque et diminue voire élimine une modulation de capacité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)