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1. (WO2014178923) A NOVEL IR IMAGE SENSOR USING A SOLUTION PROCESSED PBS PHOTODETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/178923    International Application No.:    PCT/US2014/012722
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 23.01.2014
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 32611 (US)
Inventors: KIM, Do, Young; (US).
SO, Franky; (US).
LEE, Jae, Woong; (US)
Agent: WALSH, Edmund J.; (US)
Priority Data:
61/756,730 25.01.2013 US
Title (EN) A NOVEL IR IMAGE SENSOR USING A SOLUTION PROCESSED PBS PHOTODETECTOR
(FR) NOUVEAU CAPTEUR D'IMAGE À INFRAROUGES UTILISANT UN DÉTECTEUR OPTIQUE PBS PAR DISSOLUTION
Abstract: front page image
(EN)An image sensor is constructed on a substrate that is a read-out transistor array with a multilayer array of infrared photodetectors formed thereon. The infrared photodetectors include a multiplicity of layers including an infrared transparent electrode distal to the substrate, a counter electrode directly contacting the substrate, and an infrared sensitizing layer that comprises a multiplicity of nanoparticles. The layers can be inorganic or organic materials. In addition to the electrodes and sensitizing layers, the multilayer stack can include a hole-blocking layer, an electron-blocking layer, and an anti-reflective layer. The infrared sensitizing layer can be PbS or PbSe quantum dots.
(FR)L'invention concerne un capteur d'image monté sur un substrat qui est un réseau de transistors de lecture muni d'un réseau multicouche de détecteurs optiques à infrarouges qui est formé dessus. Les détecteurs optiques à infrarouges comprennent une multiplicité de couches comprenant une électrode transparente à infrarouges, distale par rapport au substrat, une contre-électrode en communication directe avec le substrat et une couche de sensibilisation à l'infrarouge qui comprend une multiplicité de nanoparticules. Les couches peuvent être des matériaux inorganiques ou organiques. En plus des électrodes et des couches de sensibilisation, la pile multicouche peut inclure une couche de blocage de trous, une couche de blocage d'électrons et une couche antireflet. La couche de sensibilisation à l'infrarouge peut être des points quantiques PbS ou PbSe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)