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1. (WO2014178335) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/178335    International Application No.:    PCT/JP2014/061645
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 18.04.2014
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: TANAKA, Tetsuhiro; (JP)
Priority Data:
2013-096364 01.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A highly reliable semiconductor device which uses an oxide semiconductor and in which a change in the electrical characteristics is suppressed is provided. The semiconductor device includes an island-shaped semiconductor layer over a base insulating layer, a pair of electrodes over the semiconductor layer, a barrier layer in contact with undersurfaces of the electrodes, a gate electrode over the semiconductor layer, and a gate insulating layer between the semiconductor layer and the gate electrode. The semiconductor layer contains an oxide semiconductor. The base insulating layer contains silicon oxide or silicon oxynitride. The electrodes each contain Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, or W. The barrier layer contains oxide containing one or more metal elements contained in the oxide semiconductor. Furthermore, the electrodes and the barrier layer extend to the outside of the semiconductor layer when seen from above.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur très fiable, qui utilise un semi-conducteur à oxyde et dans lequel une variation des caractéristiques électriques est supprimée. Le dispositif semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice en forme d'îlot sur une couche isolante de base, une paire d'électrodes sur la couche semi-conductrice, une couche barrière en contact avec des surfaces inférieures des électrodes, une électrode de grille sur la couche semi-conductrice et une couche isolante de grille entre la couche semi-conductrice et l'électrode de grille. La couche semi-conductrice contient un semi-conducteur à oxyde. La couche isolante de base contient de l'oxyde de silicium ou de l'oxynitrure de silicium. Les électrodes contiennent chacune de l'Al, du Cr, du Cu, du Ta, du Ti, du Mo ou du W. La couche barrière contient de l'oxyde contenant un ou plusieurs éléments métalliques contenus dans le semi-conducteur à oxyde. En outre, les électrodes et la couche barrière s'étendent vers l'extérieur de la couche semi-conductrice lorsque l'on regarde depuis le dessus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)