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1. (WO2014178266) SEALING SHEET APPLICATION METHOD AND SEALING SHEET APPLICATION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/178266    International Application No.:    PCT/JP2014/060334
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 09.04.2014
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventors: MATSUSHITA Takao; (JP).
MORI Shinichirou; (JP).
YAMAMOTO Masayuki; (JP)
Agent: SUGITANI Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
2013-095331 30.04.2013 JP
Title (EN) SEALING SHEET APPLICATION METHOD AND SEALING SHEET APPLICATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'APPLICATION DE FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ ET DISPOSITIF D'APPLICATION DE FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ
(JA) 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置
Abstract: front page image
(EN)A sealing sheet that has been cut to a size less than or equal to that of the shape of a semiconductor substrate (W) is transported by a pick-up plate provided in a first transport mechanism to a first retaining table, and the sealing sheet is overlaid on the semiconductor substrate on the first retaining table. The outer periphery of the sealing sheet is tentatively pressure-bonded to the semiconductor substrate by an annular plate, which is a component of the pick-up plate, while a sealing layer of the sealing sheet is put in a semi-cured state at a predetermined viscosity by a built-in heater. When the tentative pressure-bonding at the outer periphery is completed, the sealing layer at the inner basin area of the sealing sheet is heated and tentatively pressure-bonded to the semiconductor substrate in a semi-cured state.
(FR)La présente invention concerne une feuille d'étanchéité qui a été coupée à une taille inférieure ou égale à celle de la forme d'un substrat à semi-conducteur (W). Ladite feuille d'étanchéité est transportée, par une plaque de ramassage prévue dans un premier mécanisme de transport, jusqu'à une première table de retenue et la feuille d'étanchéité est superposée sur le substrat à semi-conducteur sur la première table de retenue. La périphérie extérieure de la feuille d'étanchéité est provisoirement liée par pression au substrat à semi-conducteur par une plaque annulaire, qui est un composant de la plaque de ramassage, alors qu'une couche d'étanchéité de la feuille d'étanchéité est mise dans un état semi-durci à une viscosité prédéterminée par un élément chauffant incorporé. Lorsque la liaison par pression provisoire à la périphérie extérieure est achevée, la couche d'étanchéité au niveau de la zone de dépression intérieure de la feuille d'étanchéité est chauffée et provisoirement liée par pression au substrat à semi-conducteur dans un état semi-durci.
(JA) 半導体基板Wの形状以下に切断された封止シートを第1搬送機構に備わった吸着プレートで第1保持テーブルまで搬送し、当該第1保持テーブル上の半導体基板に封止シートを重ね合わせる。吸着プレートを構成する環状プレートによって封止シートの外周領域を埋設されたヒータによって封止シートの封止層を所定の粘度の半硬化状態で半導体基板に仮圧着する。外周領域の仮圧着が完了すると、円形プレートによって封止シートの内側流域の封止層を加熱して半硬化状態で半導体基板に仮圧着する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)