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1. (WO2014177612) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A THIN SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/177612    International Application No.:    PCT/EP2014/058820
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 30.04.2014
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: ABB TECHNOLOGY AG [CH/CH]; Affolternstrasse 44 CH-8050 Zürich (CH)
Inventors: JANISCH, Wolfgang; (CH)
Agent: ABB PATENT ATTORNEYS; c/o ABB Schweiz AG Intellectual Property CH-IP Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden (CH)
Priority Data:
13165975.7 30.04.2013 EP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A THIN SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE PLAQUETTE MINCE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)The present invention is concerned with the field of power electronics, such as a method for producing a semiconductor device comprising a thin semiconductor wafer 1 as a device element. The invention describes a method for manufacturing a semiconductor device comprising a thin semiconductor wafer 1, wherein the thin wafer contains the device element in the finalized device, e.g. active layers, buffer layers etc., and the method is comprised of an initial thinning of a first wafer 2, which forms the thin semiconductor wafer 1, to a final thickness of the thin semiconductor wafer 1. In a next step the semiconductor wafer 1 is permanently bonded to a carrier wafer 2 or element. This way the semiconductor wafer 1 and the carrier wafer 3 form a stack which can be easily handled in further topology or device production processing such as front-end-of line processing. In a final step or in a finalizing step of the device production the carrier wafer 3 is destructively removed.
(FR)La présente invention concerne le domaine des éléments électroniques d'alimentation, comme un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend une plaquette (1) mince à semi-conducteurs en tant qu'élément de dispositif. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend une plaquette (1) mince à semi-conducteurs, la plaquette mince contenant l'élément de dispositif dans le dispositif finalisé, par ex. des couches actives, des couches tampon et autres et le procédé est composé d'un amincissement initial d'une première plaquette (2), qui forme la plaquette (1) mince à semi-conducteurs, jusqu'à une épaisseur finale de la plaquette (1) mince à semi-conducteurs. Lors d'une étape suivante, la plaquette (1) à semi-conducteurs est liée de façon permanente à une plaquette (2) support ou à un élément. De cette façon, la plaquette (1) à semi-conducteurs et la plaquette (3) support forment une pile, qui peut être facilement manipulée dans une topologie supplémentaire ou un traitement de production de dispositif, comme un traitement de ligne frontale. Dans une dernière étape ou dans une étape de finalisation de la production du dispositif, la plaquette (3) support est retirée par destruction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)