WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014177288) IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/177288    International Application No.:    PCT/EP2014/051782
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 30.01.2014
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Applicants: EXCICO FRANCE [FR/FR]; 13-21 Quai de Gresillons, Bat. B7, F-92230 Gennevilliers (FR).
UNIVERSITY COLLEGE CORK - NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK [IE/IE]; Western Road, Cork City (IE)
Inventors: DUFFY, Ray; (IE).
SHAYESTEH, Maryam; (IE).
HUET, Karim; (FR)
Agent: LUCEY, Michael; PURDYLUCEY Intellectual Property 6-7 Harcourt Terrace Dublin, D2 (IE)
Priority Data:
13153312.7 30.01.2013 EP
61/758,716 30.01.2013 US
Title (EN) IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) CONTACTS À FAIBLE RÉSISTANCE AMÉLIORÉS POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)The invention provides a method of forming at least one Metal Germanide contact on a substrate for providing a semiconducting device (100) by providing a first layer (120) of Germanium (Ge) and a second layer of metal. The invention provides a step of reacting the second layer with the first layer with high energy density pulses for obtaining a Germanide metal layer (160A) having a substantially planar interface with the underlying first (Ge) layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'au moins un contact de germaniure métallique sur un substrat pour obtenir un dispositif à semi-conducteur (100), par fourniture d'une première couche (120) de germanium (Ge) et d'une seconde couche de métal. L'invention concerne une étape consistant à faire réagir la seconde couche avec la première couche au moyen d'impulsions à forte intensité d'énergie, pour obtenir une couche de germaniure métallique (160A) présentant une interface sensiblement plane avec la première couche sous-jacente (Ge).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)