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1. (WO2014177045) SEMI-FLOATING GATE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/177045    International Application No.:    PCT/CN2014/076438
Publication Date: 06.11.2014 International Filing Date: 29.04.2014
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/00 (2006.01), H01L 21/8239 (2006.01)
Applicants: FUDAN UNIVERSITY [CN/CN]; Handan Road 220, Yangpu District Shanghai 200433 (CN)
Inventors: WANG, Pengfei; (CN).
ZHANG, Wei; (CN).
SUN, Qingqing; (CN)
Agent: CHINA TRADEMARK & PATENT LAW OFFICE CO., LTD.; 14, Yuetan Nanjie, Yuexin Bldg., Xicheng District Beijing 100045 (CN)
Priority Data:
201310158971.4 02.05.2013 CN
Title (EN) SEMI-FLOATING GATE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À GRILLE SEMI-FLOTTANTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种半浮栅器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A semi-floating gate device, comprising at least one semiconductor substrate (200), a source region (201), a drain region (202), a floating gate (205), a control gate (207), a vertical channel region (401) and a gate-controlled p-n junction diode which is used for connecting the floating gate (205) and the drain region (202). The semi-floating device uses the floating gate to store information, charges or discharges the floating gate through the gate-controlled p-n junction diode, and has the advantages of small unit area, high chip density, low operation voltage when storing data, strong data retention capability, and the like.
(FR)L'invention concerne un dispositif à grille semi-flottante, comprenant au moins un substrat semi-conducteur (200), une zone de source (201), une zone de drain (202), une grille flottante (205), une grille de commande (207), une zone de canal verticale (401) et une diode à jonction p-n commandée par la grille qui sert à connecter la grille flottante (205) et la zone de drain (202). Le dispositif à grille semi-flottante utilise la grille flottante pour mémoriser des informations, charge ou décharge la grille flottante au moyen de la diode à jonction p-n commandée par la grille, et a les avantages d'une petite aire unitaire, d'une densité de puce élevée, d'une faible tension de fonctionnement lors de la mémorisation des données, d'une grande capacité de rétention des données, et similaire.
(ZH)一种半浮栅器件,包括至少一个半导体衬底(200)、一个源区(201)、一个漏区(202)、一个浮栅(205)、一个控制栅(207)、一个垂直沟道区(401)以及一个用于连接所述浮栅(205)与所述漏区(202)的栅控p-n结二极管。该半浮栅器件用浮栅存储信息,并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅进行充电或放电,具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)