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1. WO2014175907 - PHASE CHANGE MEMORY WITH FLEXIBLE TIME-BASED CELL DECODING

Publication Number WO/2014/175907
Publication Date 30.10.2014
International Application No. PCT/US2013/056862
International Filing Date 27.08.2013
IPC
G11C 13/02 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
02using elements whose operation depends upon chemical change
CPC
G11C 11/5678
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5678using amorphous/crystalline phase transition storage elements
G11C 13/0004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0004comprising amorphous/crystalline phase transition cells
G11C 13/0023
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0023Address circuits or decoders
G11C 13/0026
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0023Address circuits or decoders
0026Bit-line or column circuits
G11C 13/004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
004Reading or sensing circuits or methods
G11C 13/0061
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0061Timing circuits or methods
Applicants
  • BEING ADVANCED MEMORY CORPORATION [US]/[US]
Inventors
  • WILLEY, Aaron, D.
  • JURASEK, Ryan, A.
Priority Data
61/816,04525.04.2013US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) PHASE CHANGE MEMORY WITH FLEXIBLE TIME-BASED CELL DECODING
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE ET À DÉCODAGE TEMPOREL DE CELLULES FLEXIBLE
Abstract
(EN)
Methods and systems for time-based cell decoding for PCM memory. Generally, the higher the PCM element resistance, the longer it takes for a read output to change state. PCM memory output is determined using differentiated timings of read outputs changing state, rather than differentiated values of read outputs. In some single-bit single-ended sensing embodiments, a reference, with resistance between the resistances corresponding to a pair of adjacent logical states, is stored in multiple reference cells; a "vote" unit emits a clock signal when a majority of the reference cell read outputs transition at the vote unit. Timing units produce different binary outputs depending on whether a data read output or the clock signal changes state first at the timing unit. Time-based decoding provides advantages including improved temperature and drift resilience, improved state discrimination, improved reliability of multibit PCM, and fast and reliable sensing.
(FR)
L'invention concerne des procédés et des systèmes de décodage temporel de cellules pour mémoire à changement de phase. Généralement, plus haute est la résistance de l'élément mémoire à changement de phase, plus il faut de temps à une sortie de lecture pour changer d'état. Une sortie de mémoire à changement de phase est déterminée au moyen de temporisations différenciées de sorties de lecture changeant d'état, plutôt que des valeurs différenciées de sorties de lecture. Dans certains modes de réalisation de détection asymétrique à un seul bit, une référence, avec une résistance comprise entre les résistances correspondant à deux états logiques adjacents, est stockée dans des cellules de référence multiples; une unité "vote" émet un signal d'horloge lorsqu'une majorité des sorties de lecture de cellules de référence font une transition au niveau de l'unité vote. Des unités de temporisation produisent des sorties binaires différentes selon qu'une sortie de lecture de données ou le signal d'horloge change d'état en premier au niveau de l'unité de temporisation. Le décodage temporel fournit des avantages comprenant une température et une résilience à la dérive améliorées, une discrimination d'états améliorée, une fiabilité améliorée de mémoire à changement de phase multibits, ainsi qu'une détection rapide et fiable.
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