(EN) A computer-implemented method for determining an optimized purge gas flow in a semi-conductor inspection metrology or lithography apparatus, comprising receiving a permissible contaminant mole fraction, a contaminant outgassing flow rate associated with a contaminant, a contaminant mass diffusivity, an outgassing surface length, a pressure, a temperature, a channel height, and a molecular weight of a purge gas, calculating a flow factor based on the permissible contaminant mole fraction, the contaminant outgassing flow rate, the channel height, and the outgassing surface length, comparing the flow factor to a predefined maximum flow factor value, calculating a minimum purge gas velocity and a purge gas mass flow rate from the flow factor, the contaminant mass diffusivity, the pressure, the temperature, and the molecular weight of the purge gas, and introducing the purge gas into the semi-conductor inspection metrology or lithography apparatus with the minimum purge gas velocity and the purge gas flow rate.
(FR) L'invention concerne un procédé implémenté par ordinateur permettant de déterminer un écoulement de gaz de purge optimisé dans un appareil de métrologie d'inspection ou de lithographie de semi-conducteurs, consistant à recevoir une fraction molaire de contaminant permissible, un débit d'évacuation de contaminant associé à un contaminant, une diffusivité de masse de contaminant, une longueur de surface d'évacuation, une pression, une température, une hauteur de canal et un poids moléculaire d'un gaz de purge, à calculer un facteur d'écoulement sur la base de la fraction molaire de contaminant permissible, du débit d'évacuation de contaminant, de la hauteur de canal et de la longueur de surface d'évacuation, à comparer le facteur d'écoulement à une valeur de facteur d'écoulement maximale prédéfinie, à calculer une vélocité de gaz de purge et un débit massique de gaz de purge minimaux à partir du facteur d'écoulement, de la diffusivité de masse de contaminant, de la pression, de la température, et du poids moléculaire du gaz de purge, et à introduire le gaz de purge dans l'appareil de métrologie d'inspection ou de lithographie de semi-conducteurs avec la vélocité de gaz de purge et le débit de gaz de purge minimaux.