(EN) A gate electrode (13) has: a base section (13a) that is formed on a nitride semiconductor layer (10); and a gate field plate section (13b) that extends on a first insulating film (14) from an upper portion of the base section (13a) toward the drain electrode (12) side. A second insulating film (15) is formed on the first insulating film (14) and the gate electrode (13). An interlayer insulating film (16) composed of a material containing SiO2 is formed on the second insulating film (15). A dielectric constant of the second insulating film (15) is set higher than that of the interlayer insulating film (16). Consequently, electric field concentration at an end of the gate field plate section can be effectively suppressed, and off-withstand voltage can be improved.
(FR) Selon l'invention, une électrode de grille (13) comprend : une section de base (13a) qui est formée sur une couche de semi-conducteur au nitrure (10) ; et une section de plaque de champ de grille (13b) qui s'étend sur un premier film isolant (14) à partir d'une partie supérieure de la section de base (13a) en direction du côté électrode de drain (12). Un second film isolant (15) est formé sur le premier film isolant (14) et l'électrode de grille (13). Un film isolant d'intercouche (16) composé d'un matériau contenant du SiO2 est formé sur le second film isolant (15). Une constante diélectrique du second film isolant (15) est établie à un niveau supérieur à celle du film isolant d'intercouche (16). Par conséquent, une concentration de champ électrique à une extrémité de la section de plaque de champ de grille peut être supprimée de manière efficace, et une tension de coupure de résistance peut être améliorée.
(JA) ゲート電極13は、窒化物半導体層10上に形成された基部13aと、その基部13aの上部からドレイン電極12側に向かって第1の絶縁膜14上に延在するゲートフィールドプレート部13bとを有する。上記第1の絶縁膜14上およびゲート電極13上に第2の絶縁膜15を形成する。上記第2の絶縁膜15上にSiO2を含む材料からなる層間絶縁膜16を形成する。上記第2の絶縁膜15の誘電率を層間絶縁膜16の誘電率よりも高くする。これにより、ゲートフィールドプレート部の端での電界集中を効果的に抑制でき、オフ耐圧を向上できる。