(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mit hohem Reinheitsgrad auf einem Substrat innerhalb einer Vakuumkammer mit den Verfahrensschritten: • a) tiegelloses Deponieren eines Blockes (1) bestehend aus einem Verdampfungsmaterial innerhalb der Vakuumkammer; • b) Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen dem Block und dem Spannungspotenzial der elektrischen Masse der Vakuumkammer; • c) ringförmiges, lokal begrenztes Aufschmelzen des Verdampfungsmaterials innerhalb eines inneren Bereiches (3) der Oberfläche des Blockes (1) mittels eines Elektronenstrahls, indem der innere Bereich (3) beginnend an dessen äußerer Begrenzung mittels des Elektronenstrahls auf in sich geschlossenen oder spiralförmigen Bahnen mit kleiner werdendem Bahnradius überstrichen wird; • d) Verdampfen von Verdampfungsmaterial aus einem zentralen Bereich (5) des inneren Bereichs (3) mittels des Elektronenstrahls; • e) Verdampfen von Verdampfungsmaterial aus dem inneren Bereich (3) mittels des Elektronenstrahls und Abscheiden einer Schicht auf dem Substrat.
(EN) The invention relates to a method for depositing a layer with a high degree of purity on a substrate within a vacuum chamber, comprising the method steps of: • a) crucibleless depositing of a block (1) consisting of an evaporation material within the vacuum chamber; • b) establishing an electrically conductive connection between the block and the voltage potential of the electrical earth of the vacuum chamber; • c) annular, locally delimited melting of the evaporation material within an inner region (3) of the surface of the block (1) by means of an electron beam, in that the • inner region (3) is passed over, beginning at its outer delimitation, by means of the electron beam on continuous or spiral paths with an increasingly smaller path radius; • d) evaporating evaporation material from a central region (5) of the inner region (3) by means of the electron beam; • e) evaporating evaporation material from the inner region (3) by means of the electron beam and depositing a layer on the substrate.
(FR) Procédé pour déposer une couche sur un substrat, avec un degré de pureté élevé, à l'intérieur d'une chambre à vide. Ce procédé comprend les étapes suivantes : a) dépôt, sans creuset, d'un bloc (1) constitué d'un matériau d'évaporation à l'intérieur d'une chambre à vide; b) création d'une liaison électriquement conductrice entre ledit bloc et le potentiel de tension de la masse électrique de la chambre à vide; c) fusion annulaire localement limitée du matériau d'évaporation dans une zone intérieure (3) de la surface du bloc (1) à l'aide d'un faisceau d'électrons, par un balayage de la zone intérieure (3) commençant à partir de la limite extérieure de celle-ci, à l'aide dudit faisceau d'électrons, sur des trajectoires fermées sur elles-mêmes ou en spirale, le rayon desdites trajectoires allant en diminuant; d) évaporation du matériau d'évaporation à partir d'une zone centrale (5) de la zone intérieure (3) à l'aide dudit faisceau d'électrons; e) évaporation du matériau d'évaporation à partir de la zone intérieure (3) à l'aide dudit faisceau d'électrons et dépôt d'une couche sur le substrat.
