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1. (WO2014083218) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
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Reivindicaciones

1.- Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas:

(a) limpieza de sustratos mediante lavado y secado del mismo,

(b) colocación del sustrato en un portamuestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío,

(c) dosificación en dicha cámara de vacío de al menos un gas inerte y/o un gas reactivo

(d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, donde dicha inyección se lleva a cabo mediante controladores de flujo másico o válvulas de dosificación

(e) activación de una fuente de radiofrecuencia conectada al portamuestras y activación de al menos un magnetrón situado en el interior de la cámara de vacío, estando el magnetrón provisto de un cátodo o blanco que contenga el elemento metálico del compuesto a depositar,

(f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato.

2 - Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque el sustrato es un metal, un vidrio, un polímero, un material cerámico o un semiconductor.

3. - Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque la capa barrera y/o dieléctrica obtenida tiene un espesor desde 100 nanómetros hasta varias mieras.

4. - Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque el precursor volátil contiene un catión de un elemento metálico diferente al que contiene el blanco o cátodo.

5. - Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque el precursor volátil contiene un catión del mismo elemento metálico que el contiene el blanco o cátodo.

6.- Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barreras y/o dieléctricas sobre un sustrato, según reivindicación 1 donde se usa hexametildisiloxano (HMDSO) como compuesto precursor volátil.

7.- Procedimiento para la obtención de una capa o multicapa barreras y/o dieléctricas sobre un sustrato, según reivindicación 1 donde el blanco o cátodo es de silicio, de aluminio o de óxido de silicio y aluminio (AISiO).

8 - Procedimiento para la obtención de capas barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque el gas reactivo es oxígeno nitrógeno o mezclas de ambos.

9.- Procedimiento para la obtención de capas barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado porque el gas inerte es argón, helio o nitrógeno. 10 - Procedimiento para la obtención de capa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 6 caracterizado porque la capa depositada es de óxido de silicio (Si02).

11.- Procedimiento para la obtención de capa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato, según reivindicación 1 caracterizado por que una vez colocado el sustrato en un portamuestras, se ajusta la temperatura del sustrato entre temperatura ambiente de 20°C y 500°C.

12.- Capa o multicapa barrera y/o dieléctrica obtenida mediante el proceso descrito en la reivindicación 1.

13 - Dispositivo para llevar a cabo el procedimiento de la reivindicación 1 caracterizado por comprender una cámara de vacío (1) provista de un sistema de vacío (4), de una entrada de gas inerte (5) y otra de gas reactivo (6), así como una entrada para el compuesto precursor volátil (3) a partir del cual se produce la deposición por PECVD; en el interior de la cámara (1) se dispone al menos un magnetrón (7) con el blanco o cátodo del elemento a depositar a partir del cual se produce el proceso PVD, también comprende, en el interior de la cámara (1), un portamuestras (8) que alojará el sustrato (9), estando dicho portamuestras (8) conectado a una entrada de corriente continua (13), a una fuente de radiofrecuencia (2), y a un termómetro (12) controlador de la temperatura.

14.- Dispositivo según reivindicación 13 caracterizado por comprender un medidor de espesor (11) de la capa depositada (10) situado próximo al portamuestras.