(EN) The purpose of the invention is to reduce extreme performance deterioration caused on the basis of the frequency relationship of a specific beat signal even when a plurality of communication carriers are input in a wideband. A microwave amplifier device includes: a bias circuit formed from a line (20) having an electrical length of one quarter the wavelength at the frequency to be amplified by the microwave amplifier device and connected between the output terminal of an amplifier (11) and a bias voltage source (13), and a capacitor (14) connected between the terminal where the line (20) is connected to the bias voltage source (13) and a ground (10) that determines the reference potential of the microwave amplifier device; and a resonator circuit that includes a resistor (15) and a capacitor (16) connected in series between the ground (10) and the terminal where the line (20) is connected to the bias voltage source (13).
(FR) La présente invention concerne la réduction de la détérioration extrême du fonctionnement, celle-ci étant en fonction de la relation de fréquence d'un signal de battement spécifique même lorsqu'une pluralité de porteuses de communication sont injectées dans une large bande. Un dispositif amplificateur hyperfréquence comprend : un circuit de polarisation formé d'une ligne (20) ayant une longueur électrique d'un quart de la longueur d'onde à la fréquence à amplifier par le dispositif amplificateur hyperfréquence et connectée entre la borne de sortie d'un amplificateur (11) et une source de tension de polarisation (13), et un condensateur (14) connecté entre la borne où la ligne (20) est connectée à la source de tension de polarisation (13) et une masse (10) qui détermine le potentiel de référence du dispositif amplificateur hyperfréquence ; un circuit de résonateur qui comprend une résistance (15) et un condensateur (16) connectés en série entre la masse (10) et la borne où la ligne (20) est connectée à la source de tension de polarisation (13).
(JA) 複数通信キャリアを広帯域で入力した場合についても、特定のビート信号の周波数関係に応じて発生する極端な性能劣化を抑制する。増幅器（１１）の出力端子とバイアス電圧源（１３）との間に接続される、マイクロ波増幅器の増幅対象の周波数における１／４波長の電気長を有する線路（２０）、および、線路（２０）のバイアス電圧源（１３）に接続する端子とマイクロ波増幅器の基準電位を定める接地（１０）との間に接続されるコンデンサ（１４）、から構成されるバイアス回路と、線路（２０）のバイアス電圧源（１３）に接続する端子と接地（１０）との間に、直列に接続される抵抗体（１５）およびコンデンサ（１６）を含む共振回路と、を備える。
