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1. (WO2013163323) PVD BUFFER LAYERS FOR LED FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/163323 International Application No.: PCT/US2013/038034
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 24.04.2013
IPC:
H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventors: ZHU, Mingwei; US
WANG, Rongjun; US
PATIBANDLA, Nag, B.; US
TANG, Xianmin; US
AGRAWAL, Vivek; US
TSAI, Cheng-Hsiung, Matthew; US
RASHEED, Muhammad; US
SAIGAL, Dinesh; US
RAJA, Praburam Gopal; US
NALAMASU, Omkaram; US
SUBRAMANI, Anantha; US
Agent: VINCENT, Lester, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085, US
Priority Data:
13/868,38523.04.2013US
61/638,89326.04.2012US
Title (EN) PVD BUFFER LAYERS FOR LED FABRICATION
(FR) COUCHES TAMPON POUR DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR POUR FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
Abstract: front page image
(EN) Fabrication of gallium nitride-based light devices with physical vapor deposition (PVD)-formed aluminum nitride buffer layers is described. Process conditions for a PVD AlN buffer layer are also described. Substrate pretreatments for a PVD aluminum nitride buffer layer are also described. In an example, a method of fabricating a buffer layer above a substrate involves pre-treating a surface of a substrate. The method also involves, subsequently, reactive sputtering an aluminum nitride (AlN) layer on the surface of the substrate from an aluminum-containing target housed in a physical vapor deposition (PVD) chamber with a nitrogen-based gas or plasma.
(FR) Cette invention concerne la fabrication de dispositifs d'éclairage à base de nitrure de gallium avec des couches tampons en nitrure d'aluminium formées par dépôt physique en phase vapeur (PVD). L'invention concerne en outre les conditions de traitement d'une couche tampon en AlN déposée par PVD, ainsi que les prétraitements de substrat pour une couche tampon en nitrure d'aluminium déposée par PVD. Selon un mode de réalisation cité à titre d'exemple, un procédé de formation d'une couche tampon sur un substrat implique le prétraitement d'une surface d'un substrat. Ledit procédé implique en outre la pulvérisation réactive subséquente d'une couche de nitrure d'aluminium (AlN) sur la surface du substrat à partir d'une cible contenant de l'aluminium accueillie dans une chambre de dépôt physique en phase vapeur (PVD) par gaz à base d'azote ou par plasma.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)