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1. (WO2013163231) RESISTANCE COMPONENT EXTRACTION FOR BACK CONTACT BACK JUNCTION SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/163231    International Application No.:    PCT/US2013/037863
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 23.04.2013
IPC:
H01L 31/04 (2006.01), G01R 27/00 (2006.01)
Applicants: SOLEXEL, INC. [US/US]; 1530 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: KOMMERA, Swaroop; (US).
KAPUR, Pawan; (US).
MOSLEHI, Mehrdad, M.; (US)
Agent: WOOD, John Ryan, C.; Solexel, Inc. 1530 McCarthy Blvd Milpitas, CA 95035 (US)
Priority Data:
61/637,126 23.04.2012 US
Title (EN) RESISTANCE COMPONENT EXTRACTION FOR BACK CONTACT BACK JUNCTION SOLAR CELLS
(FR) EXTRACTION D'UNE COMPOSANTE DE RÉSISTANCE POUR PHOTOPILES À JONCTION ET CONTACT ARRIÈRES
Abstract: front page image
(EN)Methods for testing electrical parameters on a back contact solar cell. A first layer of electrically conductive metal having an interdigitated pattern of base electrodes and emitter electrodes is formed on the backside surface of a crystalline semiconductor solar cell substrate. An electrically insulating layer is formed on the first layer of electrically conductive metal which provides electrical isolation between the first layer of electrically conductive metal and a second layer of electrically conductive metal. Vias are formed in the electrically insulating layer which provides access to the first layer of electrically conductive metal. A second electrically conductive metallization layer is formed on the electrically insulating layer and contacts the first electrically conductive metal layer through the vias. An electrical parametric value is extracted from the back contact crystalline semiconductor solar cell by probing said the electrically conductive metallization layer with an electrical current or voltage.
(FR)La présente invention concerne des procédés pour mesurer des paramètres électriques sur une photopile à contact arrière. Une première couche de métal électriquement conducteur présentant un motif interdigité d'électrodes de base et d'électrodes d'émetteur est formé sur la surface arrière d'un substrat semi-conducteur cristallin de photopile. Une couche électriquement isolante est formée sur la première couche de métal électriquement conducteur, laquelle couche forme une isolation électrique entre la première couche de métal électriquement conducteur et une seconde couche de métal électriquement conducteur. Des trous d'interconnexion menant à la première couche de métal électriquement conducteur sont formés dans la couche électriquement isolante. Une seconde couche de métallisation électriquement conductrice est formée sur la couche électriquement isolante et est en contact avec la première couche de métal électriquement conductrice par les trous d'interconnexion. Une valeur de paramètre électrique est extraite de la photopile à semi-conducteur cristallin à contact arrière par sondage de ladite couche de métallisation électriquement conductrice à l'aide d'un courant ou d'une tension électrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)