WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013163082) METHODS AND APPARATUS FOR IMPLANTING A DOPANT MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/163082    International Application No.:    PCT/US2013/037588
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 22.04.2013
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: SHARMA, Shashank; (US).
HILKENE, Martin, A.; (US).
SCOTNEY-CASTLE, Matthew D.; (US).
BOLAND, John; (US)
Agent: TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Priority Data:
61/639,398 27.04.2012 US
13/861,914 12.04.2013 US
Title (EN) METHODS AND APPARATUS FOR IMPLANTING A DOPANT MATERIAL
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL D'IMPLANTATION D'UN MATÉRIAU DOPANT
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus for implanting a dopant material are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate disposed within a process chamber may include (a) implanting a dopant material into a surface of the substrate to form a doped layer in the substrate and an elemental dopant layer atop the doped layer; (b) removing at least some of the elemental dopant layer from atop the surface of the substrate; and (c) implanting the dopant material into the doped layer of the substrate; wherein (a)-(c) are performed without removing the substrate from the process chamber; and wherein (a)-(c) are repeated until at least one of a desired dopant implantation depth or a desired dopant implantation density is achieved.
(FR)La présente invention se rapporte à des procédés et à un appareil destinés à implanter un matériau dopant. Selon certains modes de réalisation, un procédé de traitement d'un substrat disposé dans une chambre de traitement peut consister à : (a) implanter un matériau dopant dans une surface du substrat afin de former une couche dopée dans le substrat et une couche de dopant élémentaire sur la couche dopée ; (b) retirer au moins une partie de la couche de dopant élémentaire du dessus de la surface du substrat ; et (c) implanter le matériau dopant dans la couche dopée du substrat. Les étapes (a)-(c) sont réalisées sans retirer le substrat de la chambre de traitement et les étapes (a)-(c) sont répétées jusqu'à obtention d'une profondeur d'implantation de dopant souhaitée et/ou d'une densité d'implantation de dopant souhaitée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)