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1. (WO2013162020) CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/162020    International Application No.:    PCT/JP2013/062464
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 26.04.2013
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 7/36 (2006.01)
Applicants: WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-2 Doshomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5408605 (JP)
Inventors: KAWADA Hiromi; (JP).
MIZUTA Hironori; (JP).
MAESAWA Tsuneaki; (JP)
Priority Data:
2012-103921 27.04.2012 JP
Title (EN) CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE
(FR) AGENT DE NETTOYAGE POUR DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板用洗浄剤および半導体基板表面の処理方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: a cleaning agent for semiconductor substrates, which excellently removes fine polishing particles of silica, alumina or the like remaining on a semiconductor substrate surface, in particular on a silicon oxide film surface such as a TEOS film after a chemical mechanical polishing process, while having excellent non-corrosive properties for tungsten wiring lines or tungsten alloy wiring lines; and a method for processing a semiconductor substrate surface. The present invention relates to: a cleaning agent for semiconductor substrates, which is used in a post-process of a chemical mechanical polishing process for a semiconductor substrate that comprises a tungsten wiring line or a tungsten alloy wiring line and a silicon oxide film, and which is characterized by containing (A) a phosphonic acid-based chelating agent, (B) a primary or secondary monoamine having at least one alkyl group or hydroxyalkyl group in each molecule and (C) water, and is also characterized by having a pH of more than 6 but less than 7; and a method for processing a semiconductor substrate surface.
(FR)La présente invention a pour but de proposer : un agent de nettoyage pour des substrats semi-conducteurs, qui élimine de façon excellente des particules fines de polissage de silice, d'alumine ou similaires restant sur une surface d'un substrat semi-conducteur, en particulier sur une surface de film d'oxyde de silicium tel qu'un film de TEOS après un procédé de polissage mécanico-chimique, tout en ayant d'excellentes propriétés non corrosives pour des lignes de câblage de tungstène ou des lignes de câblage d'alliage de tungstène ; et un procédé de traitement d'une surface de substrat semi-conducteur. La présente invention concerne : un agent de nettoyage pour des substrats semi-conducteurs, qui est utilisé dans un post-traitement d'un procédé de polissage mécanico-chimique pour un substrat semi-conducteur qui comprend une ligne de câblage de tungstène ou une ligne de câblage d'alliage de tungstène et un film d'oxyde de silicium, et qui est caractérisé en ce qu'il contient (A) un agent chélatant à base d'acide phosphonique, (B) une monoamine primaire ou secondaire ayant au moins un groupe alkyle ou un groupe hydroxyalkyle dans chaque molécule et (C) de l'eau, et est également caractérisé en ce qu'il a un pH supérieur à 6 mais inférieur à 7 ; et un procédé de traitement d'une surface de substrat semi-conducteur.
(JA) タングステン配線またはタングステン合金配線の耐腐食性に優れ、化学機械研磨工程後の半導体基板表面、特にTEOS膜等のシリコン酸化膜表面に残存するシリカやアルミナ等の研磨微粒子(パーティクル)の除去性に優れる、半導体基板用洗浄剤、ならびに半導体基板表面の処理方法を提供することを目的とし、本発明は、タングステン配線またはタングステン合金配線と、シリコン酸化膜とを有する半導体基板の化学機械研磨工程の後工程において使用される洗浄剤であって、(A)ホスホン酸系キレート剤、(B)分子内に少なくとも1つのアルキル基もしくはヒドロキシルアルキル基を有する1級または2級のモノアミン、および(C)水を含有し、pHが6を超え7未満であることを特徴とする半導体基板用洗浄剤、ならびに半導体基板表面の処理方法に関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)