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1. (WO2013161906) COMPOSITE SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, COMPOSITE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
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Pub. No.: WO/2013/161906 International Application No.: PCT/JP2013/062125
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 24.04.2013
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Applicants: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISYA[JP/JP]; 8-22, Shinden 3-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511, JP
DISCO CORPORATION[JP/JP]; 13-11, Omori-Kita 2-chome, Ota-ku, Tokyo 1438580, JP
Inventors: AIDA, Hideo; JP
AOTA, Natsuko; JP
TAKEDA, Hidetoshi; JP
HONJO, Keiji; JP
HOSHINO, Hitoshi; JP
OGASAWARA, Mai; JP
Agent: IAT WORLD PATENT LAW FIRM; 7th Floor, HULIC Nakano Bldg. 44-18, Honcho 4-chome, Nakano-ku Tokyo 1640012, JP
Priority Data:
2012-10364727.04.2012JP
Title (EN) COMPOSITE SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, COMPOSITE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT COMPOSITE, SUBSTRAT COMPOSITE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ET ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子
Abstract:
(EN) To suppress generation of a void (void generated due to the surface shape of a substrate) at the bonding interface of composite substrate. Disclosed is a composite substrate manufacturing method, wherein a composite substrate (30), which includes a first substrate (12) and a second substrate (22) bonded to the first substrate (12), is manufactured by performing at least a first raw board deforming step for manufacturing the first substrate (12) by deforming a first raw board (10) having a mirror surface (10M) as at least one surface into a state wherein the mirror surface (10M) is warped to form a protruding surface, and a bonding step for bonding, after performing the first raw board deforming step, the protruding surface of the first substrate (12), and one surface (20TP) of the second substrate (22) to each other. The second substrate (22) is one kind of a substrate selected from a substrate having both the surfaces thereof configured of substantially flat surfaces, and a substrate having the surface (20TP) warped to form the protruding surface, said surface (20TP) being on the side to be bonded to the first substrate (12). A semiconductor element manufacturing method using the composite substrate manufacturing method, and a composite substrate and a semiconductor element, which are manufactured using the composite substrate manufacturing method, are also disclosed.
(FR) La présente invention permet de supprimer la génération d'un vide (généré en raison de la forme de surface d'un substrat), au niveau de l'interface de liaison du substrat composite. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite. Un substrat composite (30), qui comprend un premier substrat (12) et un second substrat (22), lié au premier (12), est fabriqué par la réalisation d'au moins une première étape de déformation de carte brute, afin de fabriquer le premier substrat (12) par déformation d'une première carte brute (10) ayant une surface de miroir (10M) en tant qu'au moins une surface, vers un état dans lequel la surface de miroir (10M) est gauchie pour former une surface saillante, ainsi qu'une étape de liaison permettant de lier, après la réalisation de la première étape de déformation de carte brute, la surface saillante du premier substrat (12) et une surface (20TP) du second substrat (22) l'une à l'autre. Le second substrat (22) est un type de substrat sélectionné parmi un substrat, dont les deux surfaces sont conçues substantiellement plates et un substrat dont une surface (20TP) est gauchie afin de former la surface saillante, ladite surface (20TP) étant sur le côté à lier au premier substrat (12). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'élément à semi-conducteurs, qui utilise le procédé de fabrication de substrat composite, ainsi qu'un substrat composite et un élément à semi-conducteurs, qui sont fabriqués à l'aide du procédé de fabrication de substrat composite.
(JA)  複合基板の接合界面における空洞(基板の表面形状に起因する空洞)の発生を抑制する。 少なくとも一方の面が鏡面10Mである第一素板10を、鏡面10Mが凸面を成すように反った状態へと、変形させることで第一基板12を作製する第一素板変形工程と、該第一素板変形工程を経た後に、第一基板12の凸面と、第二基板22の一方の面20TPとを接合する接合工程と、を少なくとも経て、第一基板12と、該第一基板12に対して接合された第二基板22とを含む複合基板30を製造し、第二基板22が、その両面が略平坦面からなる基板、および、第一基板12と接合される側の面20TPが凸面を成すように反った基板、から選択されるいずれか1種の基板である複合基板の製造方法、これを用いた半導体素子の製造方法、当該複合基板の製造方法を用いて製造された複合基板および半導体素子。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)