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1. (WO2013161704) III NITRIDE SEMICONDUCTOR MULTILAYER SUBSTRATE AND III NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/161704    International Application No.:    PCT/JP2013/061630
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 19.04.2013
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: MATSUBAYASHI, Masakazu; .
TERAGUCHI, Nobuaki; .
ITO, Nobuyuki;
Agent: SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Priority Data:
2012-101379 26.04.2012 JP
Title (EN) III NITRIDE SEMICONDUCTOR MULTILAYER SUBSTRATE AND III NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) SUBSTRAT MULTICOUCHE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE III ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE III
(JA) III族窒化物半導体積層基板およびIII族窒化物半導体電界効果トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)A III nitride semiconductor multilayer substrate (100) is provided with: a channel layer (5), i.e., a III nitride semiconductor; and a barrier layer (6), i.e., a III nitride semiconductor, which is formed on the channel layer (5), and which forms a hetero interface with the channel layer (5). The barrier layer (6, 206) has a Cu concentration of 1.0×1010 (number of atoms/cm2) or less in a region having a depth of 10 nm or less from the surface.
(FR)Le substrat multicouche semi-conducteur au nitrure III (100) selon l'invention comporte : une couche de canal (5), c.-à-d. un semi-conducteur au nitrure III ; et une couche de barrière (6), c.-à-d. un semi-conducteur au nitrure III, lequel est formé sur la couche de canal (5), et forme une interface d'hétérojonction avec la couche de canal (5). La couche de barrière (6, 206) a une concentration en Cu inférieure ou égale à 1,0×1010 (nombre d'atomes/cm2) dans une zone dont la profondeur est inférieure ou égale à 10 nm depuis la surface.
(JA) III族窒化物半導体積層基板(100)は、III族窒化物半導体であるチャネル層(5)と、チャネル層(5)上に形成され、チャネル層(5)とヘテロ界面を形成すると共にIII族窒化物半導体である障壁層(6)とを備え、障壁層(6,206)は、表面からの深さが10nm以下の領域でのCu濃度が、1.0×1010(原子数/cm)以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)