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1. (WO2013161372) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING EUV RESIST LOWER LAYER FILM INCLUDING ADDITIVE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/161372    International Application No.:    PCT/JP2013/054535
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 22.02.2013
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: Shigaki, Shuhei; (JP).
Yaguchi, Hiroaki; (JP).
Shibayama, Wataru; (JP).
Sakamoto, Rikimaru; (JP).
Ho, BangChing; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2012-097436 23.04.2012 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING EUV RESIST LOWER LAYER FILM INCLUDING ADDITIVE
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE COUCHE INFÉRIEURE DE RÉSERVE EUV CONTENANT DU SILICIUM ET UN ADDITIF
(JA) 添加剤を含むケイ素含有EUVレジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a composition for forming an extreme ultraviolet (EUV) lithography resist lower layer film with a favorable resist shape. [Solution] A composition for forming a resist lower layer film for EUV lithography, comprising a polysiloxane (A) that contains a hydrolysis product of hydrolyzable silane (a), and a hydrolyzable silane compound (b) with a sulfonamide structure, a carboxylic acid amide structure, a urea structure, or an isocyanuric acid structure. A composition for forming a resist lower layer film for EUV lithography, comprising a hydrolyzable silane (a) and a polysiloxane (B) containing a hydrolysis product of a hydrolyzable silane compound (b) with a sulfonamide structure, a carboxylic acid amide structure, a urea structure, or an isocyanuric acid structure. The polysiloxane (A) is a co-hydrolysis condensate of tetraalkoxysilane, alkyltrialkoxysilane, and aryltrialkoxysilane.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de proposer une composition permettant de former un film de couche inférieure de réserve pour lithographie dans l'extrême ultraviolet (EUV) dont la forme de réserve est avantageuse. La solution selon l'invention porte sur une composition destinée à former un film de couche inférieure de réserve pour lithographie EUV, comprenant un polysiloxane (A) qui contient un produit d'hydrolyse de silane hydrolysable (a), et un composé de silane hydrolysable (b) ayant une structure de sulfamide, une structure d'amide d'acide carboxylique, une structure d'urée, ou une structure d'acide isocyanurique. La solution selon l'invention porte également sur une composition destinée à former un film de couche inférieure de réserve pour lithographie EUV, comprenant un silane hydrolysable (a) et un polysiloxane (B) contenant un produit d'hydrolyse d'un composé de silane hydrolysable (b) ayant une structure de sulfamide, une structure d'amide d'acide carboxylique, une structure d'urée, ou une structure d'acide isocyanurique. Le polysiloxane (A) est un co-condensat d'hydrolyse de tétraalcoxysilane, d'alkyltrialcoxysilane et d'aryltrialcoxysilane.
(JA)【課題】 レジスト形状が良好なEUVレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 加水分解性シラン(a)の加水分解縮合物を含むポリシロキサン(A)と、スルホンアミド構造、カルボン酸アミド構造、ウレア構造、又はイソシアヌル酸構造を有する加水分解性シラン化合物(b)とを含むEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。加水分解性シラン(a)と、スルホンアミド構造、カルボン酸アミド構造、ウレア構造、又はイソシアヌル酸構造を有する加水分解性シラン化合物(b)との加水分解縮合物を含むポリシロキサン(B)とを含むEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。ポリシロキサン(A)が、テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとアリールトリアルコキシシランとの共加水分解縮合物である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)