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1. (WO2013161210) SAMPLE ANALYSIS ELEMENT AND DETECTION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/161210    International Application No.:    PCT/JP2013/002504
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 12.04.2013
IPC:
G01N 21/65 (2006.01)
Applicants: SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630811 (JP)
Inventors: SUGIMOTO, Mamoru; (JP).
AMAKO, Jun; (JP).
KOIKE, Hideaki; (JP)
Agent: KAMIYANAGI, Masataka; c/o Intellectual Property Division SEIKO EPSON CORPORATION, 80, Harashinden, Hirooka, Shiojiri-shi, Nagano 3990785 (JP)
Priority Data:
2012-101021 26.04.2012 JP
Title (EN) SAMPLE ANALYSIS ELEMENT AND DETECTION DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'ANALYSE D'ÉCHANTILLONS ET DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 試料分析素子および検出装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a sample analysis element enabling the surface density of hot spots to be increased while near field light is enhanced. A sample analysis element (11) is provided with a substrate (12). On the surface of the substrate (12), nanostructures (15) are distributed at a first pitch (SP) that is smaller than the wavelength of incident light. Dielectrics of each of the nanostructures (15) are covered by a metal film. The nanostructures constitute a plurality of nanostructure groups (16). The nanostructure groups (16) are arrayed in one direction at a second pitch (LP) which is larger than the first pitch (SP).
(FR)La présente invention se rapporte à un élément d'analyse d'échantillons permettant d'augmenter la densité de la surface de points chauds tout en intensifiant la lumière en champ proche. Un élément d'analyse d'échantillons (11) est pourvu d'un substrat (12). Sur la surface du substrat (12), des nanostructures (15) sont distribuées avec un premier pas (SP) qui est plus petit que la longueur d'onde de la lumière incidente. Les diélectriques de chacune des nanostructures (15) sont recouverts d'un film métallique. Les nanostructures constituent une pluralité de groupes de nanostructures (16). Les groupes de nanostructures (16) sont disposés dans une direction au niveau d'un deuxième pas (LP) qui est plus grand que le premier pas (SP).
(JA) ホットスポットの面密度を高めつつ近接場光の増強を実現することができる試料分析素子は提供される。 試料分析素子11は基体12を備える。基体12の表面には入射光の波長よりも小さい第1のピッチSPでナノ構造体15が分散する。個々のナノ構造体15では誘電体が金属膜で覆われる。ナノ構造体は複数のナノ構造体群16を構成する。ナノ構造体群16は、第1のピッチSPよりも大きい第2のピッチLPで1方向に配列される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)