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Pub. No.:    WO/2013/161168    International Application No.:    PCT/JP2013/001749
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 14.03.2013
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: TANAKA, Keisuke; .
SAITOU, Shigeru; .
USUDA, Manabu; .
ONOZAWA, Kazutoshi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2012-101095 26.04.2012 JP
(JA) 固体撮像装置
Abstract: front page image
(EN)A solid-state image pick-up device (11) is provided with an image pick-up region (12) in which a plurality of image elements (14) are arranged in parallel on a semiconductor substrate (22), and a peripheral circuit region (13). The image elements (14) are provided with the following: a light receiving section (21) formed in the semiconductor substrate (22); a wiring layer (23) formed on the semiconductor substrate (22); and a light collecting element (25) formed on the wiring layer (23). The light collecting element (25) comprises a plurality of circular arc-shaped light transmitting films (26) having as the center thereof an axis perpendicular to the semiconductor substrate (22) and that are divided at the same degree as the wavelength of incident light or at a line width shorter than such degree. In the picture elements (14) positioned in a peripheral section (16) in an image pick-up region (12), from among the plurality of light transmitting films (26) constituting the light collecting element (25), the average height of light transmitting films (26) positioned more toward the central section (15) of the image pick-up region (12) than the axis thereof is higher than the average height of light transmitting films (26) positioned more toward the peripheral section (16) of the image pick-up region (12) than the axis thereof.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de prise d'image à semi-conducteurs (11) doté d'une région de prise d'image (12), dans laquelle une pluralité d'éléments d'image (14) sont agencés parallèlement sur un substrat semi-conducteur (22), et d'une région de circuit périphérique (13). Les éléments d'image (14) sont dotés comme suit : d'une section de réception de lumière (21) formée dans le substrat semi-conducteur (22) ; d'une couche de câblage (23) formée sur le substrat semi-conducteur (22) ; et d'un élément collecteur de lumière (25) formé sur la couche de câblage (23). L'élément collecteur de lumière (25) comprend une pluralité de films laissant passer la lumière en forme d'arc circulaire (26) possédant, en tant que centre, un axe perpendiculaire au substrat semi-conducteur (22) et qui sont divisés suivant le même degré de la longueur d'onde de la lumière incidente ou suivant une largeur de ligne plus courte que ce degré. Dans les éléments d'image (14) disposés dans une section périphérique (16) d'une région de prise d'image (12), parmi la pluralité de films laissant passer la lumière (26) constituant l'élément collecteur de lumière (25), la hauteur moyenne des films laissant passer la lumière (26) disposés plus vers la section centrale (15) de la région de prise d'image (12) que son axe est supérieure à la hauteur moyenne des films laissant passer la lumière (26) disposés plus vers la section périphérique (16) de la région de prise d'image (12) que son axe.
(JA) 固体撮像装置(11)は、半導体基板(22)上に複数の画素(14)が行列状に配置された撮像領域(12)と周辺回路領域(13)とを備え、画素(14)は、半導体基板(22)に形成された受光部(21)と、半導体基板(22)の上に形成された配線層(23)と、配線層(23)の上に形成された集光素子(25)とを備え、集光素子(25)は、半導体基板(22)に垂直な軸を中心とした、入射光の波長と同程度かそれよりも短い線幅で分割された円弧状の複数の光透過膜(26)からなり、撮像領域(12)内の周辺部(16)に位置する画素(14)において、集光素子(25)を構成する複数の光透過膜(26)のうち、軸よりも撮像領域(12)の中央部(15)側の光透過膜(26)の平均高さは、軸よりも撮像領域(12)の周辺部(16)側の光透過膜(26)の平均高さよりも高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)