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1. (WO2013160968) PHOTODIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/160968    International Application No.:    PCT/JP2012/002927
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 27.04.2012
H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/108 (2006.01)
Applicants: PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shin-ogura, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2120031 (JP) (For All Designated States Except US).
ASO, Saburo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASO, Saburo; (JP)
Agent: OCHIAI, Minoru; 2th Floor, Taiyo Building, 12-4, Iwamotocho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
Priority Data:
(JA) フォトダイオード
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the invention is to provide a photodiode capable of having a high optical sensitivity. A solution to the above purpose is to provide a photodiode that includes a semiconductor layer (110), and light receiving electrodes (120) having translucency with respect to incident light, arranged at a pitch (P) equal to or shorter than the wavelength (λ) of the incident light on a surface of the semiconductor layer (110), embedded in the semiconductor layer (110) at least partially in the depth direction, and forming Schottky junctions together with the semiconductor layer (110). Preferably, the embedded depth (h) of the light receiving electrodes (120) in the semiconductor layer (110) is 50 nm or less.
(FR)La présente invention concerne une photodiode, capable de présenter une sensibilité optique élevée. Une solution conforme à l'invention consiste à fournir une photodiode qui comprend une couche semi-conductrice (110) et des électrodes (120) de réception de lumière, translucides par rapport à une lumière incidente, agencées selon un pas (P) égal ou inférieur à la longueur d'onde (λ) de la lumière incidente sur une surface de la couche semi-conductrice (110), intégrées dans la couche semi-conductrice (110), au moins partiellement dans la direction de la profondeur et formant des jonctions Schottky avec la couche semi-conductrice (110). De préférence, la profondeur intégrée (h) des électrodes (120) de réception de lumière dans la couche semi-conductrice (110) est de 50 nm maximum.
(JA) 本発明は、高い光感度を得ることができるフォトダイオードを提供することを課題としている。 上記課題の解決手段として、半導体層110と、入射光に対して透過性を有すると共に、半導体層110の表面に、入射光の波長(λ)以下のピッチ(P)で配列され、深さ方向の少なくとも一部が半導体層110に埋め込まれ、半導体層110とショットキー接合を形成する受光電極120とを備え、好ましくは、半導体層110に対する受光電極120の埋込み深さ(h)を、50nm以下とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)