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1. (WO2013160343) EPITAXY SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXY SUBSTRATE AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP COMPRISING AN EPITAXY SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/160343 International Application No.: PCT/EP2013/058477
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 24.04.2013
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: HERTKORN, Joachim; DE
FREY, Alexander; DE
SCHMID, Christian; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich, DE
Priority Data:
10 2012 103 686.126.04.2012DE
Title (EN) EPITAXY SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXY SUBSTRATE AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP COMPRISING AN EPITAXY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL ET PUCE SEMICONDUCTRICE OPTO-ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL
(DE) EPITAXIESUBSTRAT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAXIESUBSTRATS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINEM EPITAXIESUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN) An epitaxy substrate (11, 12, 13) for a nitride compound semiconductor material is specified, which has a nucleation layer (2) directly on a substrate (1) wherein the nucleation layer (2) has at least one first layer (21) composed of AlON with a column structure. A method for producing an epitaxy substrate and an optoelectronic semiconductor chip comprising an epitaxy substrate are furthermore specified.
(FR) L'invention concerne un substrat épitaxial (11, 12, 13) pour un matériau semiconducteur à composés nitrure, présentant une couche de nucléation (2) directement sur un substrat (1), la couche de nucléation (2) présentant au moins une première couche (21) en AlON ayant une structure en colonnes. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat épitaxial et une puce semiconductrice opto-électronique comportant un substrat épitaxial.
(DE) Es wird ein Epitaxiesubstrat (11, 12, 13) für ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial angegeben, das eine Nukleationsschicht (2) direkt auf einem Substrat (1) aufweist, wobei die Nukleationsschicht (2) zumindest eine erste Schicht (21) aus AlON mit einer Säulenstruktur aufweist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)