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1. (WO2013160027) METHODS AND COMPOSITIONS FOR PROVIDING SPACED LITHOGRAPHY FEATURES ON A SUBSTRATE BY SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/160027    International Application No.:    PCT/EP2013/055689
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 19.03.2013
IPC:
G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven (NL)
Inventors: WUISTER, Sander; (NL).
PEETERS, Emiel; (NL)
Agent: WEENINK, Willem; De Run 6665 NL-5504 DT Veldhoven (NL)
Priority Data:
61/639,586 27.04.2012 US
Title (EN) METHODS AND COMPOSITIONS FOR PROVIDING SPACED LITHOGRAPHY FEATURES ON A SUBSTRATE BY SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS
(FR) PROCÉDÉS ET COMPOSITIONS PERMETTANT DE DISPOSER DES ÉLÉMENTS LITHOGRAPHIQUES ESPACÉS SUR UN SUBSTRAT PAR AUTO-ASSEMBLAGE DE COPOLYMÈRES BLOCS
Abstract: front page image
(EN)A method is disclosed to form a row of mutually spaced elongate lithography features along an axis on a substrate, for instance for use as contact electrodes for a NAND device. The method involves directing alignment of self-assemblable block copolymer (BCP) composition in a trench in a resist layer on the substrate, having the substrate as base, with an epitaxy feature in the trench to cause the ordered BCP layer to have elongate domains stretching across the trench width, substantially parallel to each other and to the substrate. The ordered BCP layer is then used as a resist to pattern the substrate. A BCP composition adapted to assemble with spaced discontinuous elongate elliptical domains is disclosed. The method may allow for sub-resolution contact arrays to be formed using UV lithography.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une rangée d'éléments lithographiques allongés et espacés les uns des autres le long d'un axe sur un substrat, destinés par exemple à faire office d'électrodes de contact pour un dispositif NON-ET. Le procédé suppose de réaliser un alignement d'une composition de copolymères blocs (BCP) à auto-assemblage dans un évidement d'une couche de réserve sur le substrat, le substrat faisant office de base, un élément d'épitaxie se trouvant dans l'évidement de façon à amener la couche de BCP ordonnée à présenter des domaines allongés s'étendant sur toute la largeur de l'évidement sensiblement parallèlement les uns aux autres et au substrat. La couche de BCP ordonnée est alors utilisée comme réserve pour former des motifs sur le substrat. La présente invention concerne également une composition de BCP conçue pour un assemblage avec des domaines elliptiques, allongés, discontinus et espacés. Le procédé peut permettre de former des matrices de contacts en sous-résolution par une méthode de lithographie par UV.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)