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1. (WO2013159307) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ELECTROMAGNETIC ABSORPTION AND SHIELDING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/159307    International Application No.:    PCT/CN2012/074737
Publication Date: 31.10.2013 International Filing Date: 26.04.2012
IPC:
H01L 23/552 (2006.01), H05K 9/00 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; No. 388, Jiang Chuan East Road Minhang District, Shanghai 200241 (CN) (For All Designated States Except US).
SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; No. 388, Jiang Chuan East Road Minhang District, Shanghai 200241 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Dacheng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
BAI, Ye [CN/CN]; (CN) (For US Only).
QIAN, Kaiyou [CN/CN]; (CN) (For US Only).
CHIU, Chin-Tien [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Dacheng; (CN).
BAI, Ye; (CN).
QIAN, Kaiyou; (CN).
CHIU, Chin-Tien; (CN)
Agent: LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building No. 8 Beichen Dong Street, Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ELECTROMAGNETIC ABSORPTION AND SHIELDING
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT L'ABSORPTION ET LE BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device is disclosed including material for absorbing EMI and/or RFI The device includes a substrate (202), one or more semiconductor die (224,225), and molding compound around the one or more semiconductor die (224,225). The material for absorbing EMI and/or RFI may be provided within or on a solder mask layer (210) on the substrate (202). The device may further include EMI/RFI-absorbing material around the molding compound and in contact with the EMI/RFI-absorbing material on the substrate to completely enclose the one or more semiconductor die in EMI/RFI-absorbing material.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comportant un matériau pour l'absorption d'impulsions électromagnétiques et/ou d'impulsions radiofréquence. Le dispositif comporte un substrat (202), une ou des puce(s) de semi-conducteurs (224, 225), et un composé de moulage autour de la ou les puce(s) de semi-conducteurs (224, 225). Le matériau pour l'absorption d'impulsions électromagnétiques et/ou d'impulsions radiofréquence peut être prévu à l'intérieur d'une couche d'épargne de soudage (210) sur le substrat (202). Le dispositif peut également comporter un matériau d'absorption d'impulsions électromagnétiques et/ou d'impulsions radiofréquence autour du composé de moulage et en contact avec le matériau d'absorption d'impulsions électromagnétiques et/ou d'impulsions radiofréquence sur le substrat pour renfermer entièrement la ou les puce(s) de semi-conducteurs dans un matériau d'absorption d'impulsions électromagnétiques et/ou d'impulsions radiofréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)