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1. (WO2013158421) BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH REDUCED BASE-COLLECTOR JUNCTION CAPACITANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/158421    International Application No.:    PCT/US2013/035871
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 10.04.2013
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 21/328 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventors: CHENG, Peng; (US).
HARAME, David, L.; (US).
LEIDY, Robert, K.; (US).
LIU, Qizhi; (US)
Agent: CANALE, Anthony, J.; International Business Machines Corporation Intellectual Property Law 972E 1000 River Street Essex Junction, VT 05452 (US)
Priority Data:
13/452,335 20.04.2012 US
Title (EN) BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH REDUCED BASE-COLLECTOR JUNCTION CAPACITANCE
(FR) TRANSISTORS À JONCTIONS BIPOLAIRES PRÉSENTANT UNE CAPACITÉ DE JONCTION COLLECTEUR-BASE RÉDUITE
Abstract: front page image
(EN)Methods for fabricating a device structure such as a bipolar junction transistor (80), device structures for a bipolar junction transistor, and design structures for a bipolar junction transistor. The device structure includes a collector region (18) formed in a substrate (10), an intrinsic base (84) coextensive with the collector region, an emitter (74) coupled with the intrinsic base, a first isolation region (12) surrounding the collector region, and a second isolation region (42, 43) formed at least partially within the collector region. The first isolation region has a first sidewall (13) and the second isolation region having a second sidewall (51a, 53a) peripherally inside the first sidewall. A portion (37, 39) of the collector region is disposed between the first sidewall of the first isolation region and the second sidewall of the second isolation region.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication d'une structure de dispositif telle qu'un transistor à jonctions bipolaires (80), des structures de dispositif pour un transistor à jonctions bipolaires et des structures modèles pour un transistor à jonctions bipolaires. La structure du dispositif comporte une zone de collecteur (18) formée dans un substrat (10), une base intrinsèque (84) coextensive avec la zone de collecteur, un émetteur (74) couplé à la base intrinsèque, une première zone isolante (12) entourant la zone de collecteur et une seconde zone isolante (42, 43) formée au moins en partie dans la zone de collecteur. La première zone isolante présente une première paroi latérale (13) et la seconde zone isolante présente une seconde paroi latérale (51a, 53a) située de manière périphérique à l'intérieur de la première paroi latérale. Une partie (37, 39) de la zone de collecteur est disposée entre la première paroi latérale de la première zone isolante et la seconde paroi latérale de la seconde zone isolante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)