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1. (WO2013157635) GAS FLOW DEPOSITION DEVICE AND GAS FLOW DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/157635    International Application No.:    PCT/JP2013/061645
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 19.04.2013
IPC:
C23C 14/24 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: MORITA, Osamu; (JP).
EBIHARA, Ryousuke; (JP).
OTSUKI, Shimon; (JP).
KUBOTA, Shinji; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2012-097033 20.04.2012 JP
Title (EN) GAS FLOW DEPOSITION DEVICE AND GAS FLOW DEPOSITION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE GAZEUSE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE GAZEUSE
(JA) ガスフロー蒸着装置、及びガスフロー蒸着方法
Abstract: front page image
(EN)A gas flow deposition device (20) is provided with an MFC (400) which controls the flow rate of a carrier gas, and a heat exchanger (300) which heats the carrier gas the flow rate of which is controlled by the MFC. Further, the gas flow deposition device (20) is provided with a material container (200) which houses a deposition material therein and out of which vapor of the deposition material flows together with the carrier gas heated by the heat exchanger, and a deposition head (100) from which gas containing the vapor of the deposition material and the carrier gas that have flowed out of the material container (200) is jetted. The heat exchanger (300) is formed such that a pressure difference between the pressure on the inflow side of the carrier gas and the pressure on the outflow side of the carrier gas occurs.
(FR)L'invention concerne un dispositif de dépôt en phase gazeuse (20) pourvu d'une cellule microcristalline (400) qui régule le débit d'un gaz porteur, et un échangeur de chaleur (300) qui chauffe le gaz porteur dont le débit est régulé par la cellule microcristalline. En outre, le dispositif de dépôt en phase gazeuse (20) est pourvu d'un contenant de matériau (200) qui loge un matériau de dépôt et à l'extérieur duquel la vapeur du matériau de dépôt circule conjointement avec le gaz porteur chauffé par l'échangeur de chaleur, et une tête de dépôt (100) à partir de laquelle le gaz contenant la vapeur du matériau de dépôt et le gaz porteur ayant quitté le contenant de matériau (200) est éjecté. L'échangeur de chaleur (300) est formé de telle sorte qu'une différence de pression s'établit entre la pression sur le côté d'arrivée du gaz porteur et la pression sur le côté de sortie du gaz porteur.
(JA) ガスフロー蒸着装置20は、キャリアガスの流量を制御するMFC400と、MFCによって流量を制御されたキャリアガスを加熱する熱交換器300とを備える。また、ガスフロー蒸着装置20は、蒸着材料を内部に収容し、熱交換器によって加熱されたキャリアガスととともに蒸着材料の蒸気を流出する材料容器200と、材料容器200から流出された蒸着材料の蒸気及びキャリアガスを含むガスを噴射する蒸着ヘッド100とを備える。熱交換器300は、キャリアガスの流入側の圧力とキャリアガスの流出側の圧力との差圧が生じるよう形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)