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1. (WO2013157619) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/157619    International Application No.:    PCT/JP2013/061560
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 12.04.2013
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: ISOBE, Atsuo; (JP)
Priority Data:
2012-096443 20.04.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A variation in electrical characteristics, such as a negative shift of the threshold voltage or an increase in S value, of a fin-type transistor including an oxide semiconductor material is prevented. An oxide semiconductor film is sandwiched between a plurality of gate electrodes with an insulating film provided between the oxide semiconductor film and each of the gate electrodes. Specifically, a first gate insulating film is provided to cover a first gate electrode, an oxide semiconductor film is provided to be in contact with the first gate insulating film and extend beyond the first gate electrode, a second gate insulating film is provided to cover at least the oxide semiconductor film, and a second gate electrode is provided to be in contact with part of the second gate insulating film and extend beyond the first gate electrode.
(FR)Cette invention concerne à dispositif à semi-conducteur présentant un transistor du type à ailettes comprenant un matériau semi-conducteur de type oxyde. Le dispositif de l'invention permet d'éviter une variation des caractéristiques électriques telles qu'un décalage négatif de la tension de seuil ou une augmentation de la valeur S. Un film semi-conducteur de type oxyde est pris en sandwich entre une pluralité d'électrodes de grille, un film isolant étant disposé entre le film semi-conducteur du type oxyde et chacune des électrodes de grille. Plus spécifiquement, un premier film isolant de grille est disposé de façon à recouvrir la première électrode de grille, un film semi-conducteur de type oxyde est disposé de façon à être en contact avec le premier film isolant de grille et à s'étendre au-delà de la première électrode de grille, un second film isolant de grille est disposé de manière à recouvrir au moins le film semi-conducteur de type oxyde, et une seconde électrode de grille est disposée de façon à être en contact avec une partie du second film isolant de grille et à s'étendre au-delà de la première électrode de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)