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1. (WO2013157418) SiC SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/157418    International Application No.:    PCT/JP2013/060515
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 05.04.2013
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/10 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyotacho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
DANNO, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventors: DANNO, Katsunori; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Priority Data:
2012-096958 20.04.2012 JP
Title (EN) SiC SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) MONOCRISTAL DE SiC ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) SiC単結晶及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An objective of the present invention is to provide a high-quality SiC single crystal in which the threading dislocation density including screw dislocation, edge dislocation and micropipe defect is reduced, and a method for producing such SiC single crystal according to a solution technique. The method for producing the SiC single crystal according to a solution technique which involves bringing an SiC seed crystal into contact with an Si-C solution having a temperature gradient in which the temperature is lower towards the surface from the inner part and growing an SiC single crystal comprises setting the temperature gradient of the surface region of the Si-C solution to 10°C/cm or below, bringing the (1-100) face of an SiC seed crystal into contact with the Si-C solution, and growing an SiC single crystal on the (1-100) face of the seed crystal at a ratio (single crystal growth rate/temperature gradient) of the growth rate of the SiC single crystal to the temperature gradient which is less than 20×10-4 cm2/h·°C.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un monocristal de SiC de qualité supérieure, dans lequel la densité de dislocation de filetage, comprenant la dislocation vis, la dislocation coin et un défaut sous forme de microfissure, est réduite, et un procédé de production d'un tel monocristal de SiC selon une technique de résolution. Le procédé de production du monocristal de SiC selon une technique de résolution consiste à amener un germe cristallin de SiC en contact avec une solution de Si-C présentant un gradient de température pour lequel la température diminue de la partie intérieure en direction de la surface et à faire croître un monocristal de SiC, consistant à régler le gradient de température de la zone de surface de la solution de Si-C jusqu'à une valeur inférieure ou égale à 10 °C/cm ou moins, à amener la face (1-100) d'un germe cristallin de SiC en contact avec la solution de Si-C, et à faire croître un germe cristallin de SiC sur la face (1-100) du germe cristallin selon un rapport (vitesse de croissance d'un monocristal/gradient de température) entre la vitesse de croissance du monocristal de SiC et le gradient de température qui est inférieur à 20×10-4 cm2/h°C.
(JA) らせん転位、刃状転位、及びマイクロパイプ欠陥といった貫通転位密度を低減した高品質なSiC単結晶、及びそのようなSiC単結晶の溶液法による製造方法を提供することを目的とする。内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、Si-C溶液の表面領域の温度勾配を10℃/cm以下にすること、Si-C溶液にSiC種結晶の(1-100)面を接触させること、及び種結晶の(1-100)面に、SiC単結晶を、20×10-4cm2/h・℃未満の、温度勾配に対するSiC単結晶の成長速度の比(単結晶の成長速度/温度勾配)で、成長させること、を含む、SiC単結晶の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)