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1. (WO2013157261) METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/157261 International Application No.: PCT/JP2013/002607
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 17.04.2013
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.[JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventors: KATAYAMA, Koji; null
MITANI, Satoru; null
MURAOKA, Shunsaku; null
WEI, Zhiqiang; null
TAKAGI, Takeshi; null
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
Priority Data:
2012-09709320.04.2012JP
Title (EN) METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE RÉMANENTE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉMANENTE
(JA) 不揮発性記憶素子の駆動方法および不揮発性記憶装置
Abstract: front page image
(EN) A method for driving a nonvolatile storage element having a resistance changing element for changing in a reversible manner a resistance state between a low-resistance state and a high-resistance state on the basis of an applied electrical signal, and a transistor connected in series to the resistance changing element, the method for driving the nonvolatile storage element including: steps (S200, S202) for changing the resistance changing element to a low-resistance state by applying a first gate voltage to the gate of the transistor and applying a negative first write voltage based on a first electrode; and a step (S205) for changing the transistor resistance value in a low-resistance write when either the current value of a low-resistance write current flowing to the resistance changing element during the execution of the step for setting the resistance changing element to a low-resistance state, or the resistance value of the nonvolatile storage element when the resistance changing element is in the low-resistance state deviates from a prescribed range.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de commander un élément de mémoire rémanente comportant un élément variateur de résistance destiné à faire varier de manière réversible un état de résistance entre un état de basse résistance et un état de haute résistance en fonction d'un signal électrique appliqué, et un transistor raccordé en série à l'élément variateur de résistance, le procédé de commande de l'élément de mémoire rémanente comprenant : des étapes (S200, S202) destinées à faire passer l'élément variateur de résistance à un état de basse résistance en appliquant une première tension de grille à la grille du transistor et en appliquant une première tension d'écriture négative basée sur une première électrode; et une étape (S205) destinée à modifier la valeur de résistance du transistor lors d'une écriture basse résistance dans l'un des cas suivants : soit la valeur d'intensité d'un courant d'écriture basse résistance s'écoulant vers l'élément variateur de résistance pendant l'exécution de l'étape destinée à faire passer l'élément variateur de résistance à un état de basse résistance, soit la valeur de résistance de l'élément de mémoire rémanente lorsque l'élément variateur de résistance est à l'état de basse résistance, s'écarte d'une plage prescrite.
(JA) 印加される電気的信号に基づいて抵抗状態が低抵抗状態および高抵抗状態の間で可逆的に変化する抵抗変化素子と、抵抗変化素子に直列に接続されたトランジスタとを有する不揮発性記憶素子の駆動方法であって、トランジスタのゲートに第1のゲート電圧を印加し、第1の電極を基準に負の第1の書き込み電圧を印加することにより、抵抗変化素子を低抵抗状態にするステップ(S200,S202)と、抵抗変化素子を低抵抗状態にするステップの実行において抵抗変化素子に流れる低抵抗化書き込み電流の電流値、または、抵抗変化素子が低抵抗状態である場合の不揮発性記憶素子の抵抗値が、所定の範囲から外れる場合に、低抵抗化書き込みにおけるトランジスタの抵抗値を変更するステップ(S205)とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)