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1. (WO2013157179) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, HEAT RESISTANT SHEET, METHOD FOR PROTECTING SUBSTRATE FRONT SURFACE WHEN FORMING SUBSTRATE REAR FILM, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HOLDING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/157179    International Application No.:    PCT/JP2013/000921
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 20.02.2013
IPC:
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: SASAKI, Hiroshi; (JP).
SAITOU, Hitoshi; (JP).
YOKOTA, Hiroshi; (JP)
Agent: YAMAMOTO, Shusaku; GRAND FRONT OSAKA TOWER C 3-1 Ofuka-cho, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300011 (JP)
Priority Data:
2012-096106 19.04.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, HEAT RESISTANT SHEET, METHOD FOR PROTECTING SUBSTRATE FRONT SURFACE WHEN FORMING SUBSTRATE REAR FILM, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HOLDING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, FEUILLE RÉSISTANT À LA CHALEUR, PROCÉDÉ DE PROTECTION DE SURFACE AVANT DE SUBSTRAT LORS DE LA FORMATION DE FILM ARRIÈRE DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE SUPPORT DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法、耐熱シート、基板裏面膜形成時の基板表面保護方法および半導体基板の保持方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To eliminate an increase of the number of steps, resist and impurity residuals, contamination to a deposition film and a deposition apparatus, and generation of thermal deformation and degassing in a deposition process. [Solution] A heat resistant sheet (3) is adhered on the device front surface of a semiconductor wafer (2) in the unit of the semiconductor wafer (2), and with the heat resistant sheet (3) as a support material, a deposition film (7), i.e., a high reflecting film, a metal film, or the like, is film-formed by means of a deposition apparatus, at a lower temperature (for instance, 150 degrees Celsius) than the heat resistant temperature (300 degrees Celsius) of the heat resistant sheet (3), on the side of a device rear surface (2a) of the semiconductor wafer (2), said device rear surface having been exposed without a change.
(FR)La présente invention vise à éliminer une augmentation du nombre d'étapes, des résidus de réserve et d'impuretés, une contamination d'un film de dépôt et d'un appareil de dépôt, et une génération de déformation thermique et de dégazage dans un processus de dépôt. A cet effet, la présente invention concerne une feuille résistant à la chaleur (3) qui est collée sur la surface avant de dispositif d'une tranche de semi-conducteur (2) dans l'unité de la tranche de semi-conducteur (2), et avec la feuille résistant à la chaleur (3) en tant que matériau de support, un film de dépôt (7), c'est-à-dire, un film hautement réfléchissant, un film métallique, ou analogues, est formé en tant que film à l'aide d'un appareil de dépôt, à une température plus faible (par exemple, 150 degrés Celsius) que la température de résistance thermique (300 degrés Celsius) de la feuille résistant à la chaleur (3), sur le côté d'une surface arrière de dispositif (2a) de la tranche de semi-conducteur (2), ladite surface arrière de dispositif ayant été exposée sans changement.
(JA)【課題】工程の増加、レジスト残りや不純物残留、蒸着膜や蒸着装置への汚染、蒸着処理時の熱変形や脱ガスの発生を防止する。 【解決手段】半導体ウエハ(2)単位で半導体ウエハ(2)のデバイス表面上に耐熱シート(3)を粘着させ、耐熱シート(3)をサポート材とし、そのまま露出した半導体ウエハ(2)のデバイス裏面(2a)側に高反射膜または金属膜などの蒸着膜(7)を蒸着装置により、耐熱シート(3)の耐熱温度(摂氏300度)よりも低温(例えば摂氏150度)で成膜形成してい る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)