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1. (WO2013157090) SOLAR CELL AND PRODUCING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/157090    International Application No.:    PCT/JP2012/060438
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 18.04.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (For All Designated States Except US).
WATANABE, Keiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MINE, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMURA, Mieko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HATTORI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORISHITA, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WATANABE, Keiji; (JP).
MINE, Toshiyuki; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SOLAR CELL AND PRODUCING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 太陽電池およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve the power generation efficiency of a back-junction solar cell. In order to achieve this purpose, an ONO multilayer film in contact with the backside of a substrate, an n+-layer side electrode penetrating through the ONO multilayer film and contacting the n+ layer, and a p+-layer side electrode penetrating through the ONO multilayer film and contacting the p+ layer are formed so as to cover the n+ layer and the p+ layer provided on the backside of the substrate. In this case, the silicon nitride film in the ONO multilayer film in contact with the n+ layer acts as a positive charge storage film, while the silicon nitride film in the ONO multilayer film in contact with the p+ layer acts as a negative charge storage film irradiated by UV light.
(FR)L'objectif de la présente invention est d'améliorer l'efficacité de production électrique d'une cellule solaire à jonction arrière. Afin d'atteindre cet objectif, un film à couches multiples ONO en contact avec le côté arrière d'un substrat, une électrode côté couche n+ pénétrant le film à couches multiples ONO et venant en contact avec la couche n+, et une électrode côté couche p+ pénétrant le film à couches multiples ONO et venant en contact avec la couche p+ sont formés de façon à recouvrir la couche n+ et la couche p+ disposées sur le côté arrière du substrat. Dans ce cas, le film de nitrure de silicium dans le film à couches multiples ONO en contact avec la couche n+ agit en tant que film de stockage de charge positive, tandis que le film de nitrure de silicium dans le film à couches multiples ONO en contact avec la couche p+ agit en tant que film de stockage de charge négative éclairé par de la lumière UV.
(JA) 背面接合型の太陽電池の発電効率を向上させることを可能とする。その手段として、基板の裏面に設けられたn層およびp層を覆うように、前記基板の裏面に接するONO積層膜と、ONO積層膜を貫通してn層に接続されたn層側電極と、ONO積層膜を貫通してp層に接するp層側電極とを形成する。このとき、n層に接するONO積層膜内の窒化シリコン膜は正電荷蓄積膜とし、p層に接するONO積層膜内の窒化シリコン膜は、UV光を照射された負電荷蓄積膜とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)